[發明專利]一種光電轉換裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201110353768.3 | 申請日: | 2011-11-10 |
| 公開(公告)號: | CN102446999A | 公開(公告)日: | 2012-05-09 |
| 發明(設計)人: | 朱敘國 | 申請(專利權)人: | 朱敘國 |
| 主分類號: | H01L31/055 | 分類號: | H01L31/055;H01L31/0216;H01L31/18 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 光電 轉換 裝置 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種光電轉換裝置及其制造方法,特別是指一類采用光致發光膜、反射膜與聚光膜,在光致發光膜上沉積ZnO:Al薄膜來提高電池效率的光電轉換裝置。
背景技術
太陽能電池是把太陽光轉換為電能的裝置,器件通常包含抗反射膜、電極、PN結或PIN結、基板等。
圖1所示為公開技術的太陽能電池裝置,包括:抗反射膜,基片,布置在所述基片的前電極,布置在所述基片上的PN結,布置在所述PN結的背電極等。
通常的PN結只對太陽光的某一個波段敏感,敏感波段由使用半導體材料的禁帶寬度決定。然而穿過大氣的太陽光包含了從200至1000納米等非常寬的波長范圍,入射到太陽能電池的光,只有在PN結敏感波段區內的光才能被利用,所以通常的太陽能電池轉換效率不太高。例如,單結無定型硅(a-Si)薄膜太陽能電池的轉換效率約為5%,單晶硅(c-Si?)或多晶硅(p-Si)太陽能電池的轉換效率約為15%。
通過對多組不同半導體材料制成的PN結串聯也可以提高太陽能電池的效率,如通過對藍綠黃光敏感的a-Si(無定型硅)與黃紅光敏感的μ-Si(微晶硅)兩個PN結的串聯,可以把單結太陽能電池的效率從5%提高到接近10%。a-Si(無定型硅)與單晶硅(c-Si)雙結串聯太陽能電池的轉換率可達20%以上。GaInP/GaAs/Ge多PN結串聯太陽能電池的轉換率可達30%以上。
但是用上述方法來提高太陽能電池的轉換效率就目前的技術基木己經很難得到大幅提高,隨著社會的進步和發展太陽能這種綠色能源被越來越多的人所青睞,人們想通過有限時間的光照來攝取更多的能量,從而人們想通過其他的方法來提高太陽能轉換率。
發明內容
為了實現提高太陽能光電池的太陽能轉化率的技術要求,克服現有太陽能
轉化率不高的缺點,本發明提供一種光電轉換裝置及制造方法的技術方案來部分解決現有技術的不足。
本發明是通過以下技術方案來實現本發明的目的,光電轉換裝置上具有光電池,所述光電池包括基片和抗反射膜,所述基片上設置有PN結和電極,所述光電池還包括光致發光膜、反射膜和聚光膜,在光電池的迎光面上設置有多層光致發光膜,在光致發光膜的迎光面上設置有多層反射膜,在反射膜的迎光面上設置有聚光膜,所述光致發光膜表面具有ZnO:Al薄膜沉積,所述光致發光膜的厚度為0.?1μm~5mm,所述光致發光膜在有效激發光波長處的光學密度大于1,所述的光致發光膜由發光材料或發光材料加入輔助成膜由量子效率大于30%的無機發光材料、有機發光材料其中的至少一種材料組,所述輔助成膜材料由在可見光區透明的太陽光譜范圍透過率大于70%的有機聚合物高分子材料、無機玻璃、陶磁材料其中的一種材料組成;所述反射膜的折射率從下往上依次增大,所述反射膜(22)是NdF3/Al?F3材料對反射膜;所述的聚光膜由在可見光內透明的有機樹脂或無機玻璃材料組成,具有凸凹幾何形狀的不均勻薄膜。
所述ZnO:Al薄膜中Al的摻雜濃度是2%~4%,制備的薄膜在可見光區的透射率高于90%,表現出良好的透明性。對于1%~2%的Al摻雜,具有良好的電學性質。?
所述的無機發光材料包括遠紫外線轉換近紫外光發光材料、藍色無機發光材料、綠色無機發光材料、黃綠光材料、紅色無機發光材料;所述的有機發光材料包括遠紫外線轉換近紫外光有機發光材料、藍色有機發光材料、綠色有機低分子發光材料、黃色有機低分子發光材料、紅色有機低分子發光材料、共扼有機高分子發光材料。所述發光材料可以摻入輔助摻雜劑,加入輔助成膜材料中的重量比例是0.1~99%。
所述的光電池由無機、有機或無機和有機復合的半導體材料上形成的PN結或PIN結通過電極相互并聯或串聯制成。
所述有機發光材料通過采用溶解、分散在輔助成膜材料中,制成光致發光膜的可加工性材料。
所述有機發光材料通過化學合成法把有機發光材料的分子加入到非共扼有機高分子的主鏈或側鏈上,制成光致發光膜的可加工性材料。
所述無機發光材料通過溶解、混合、分散在無機玻璃、陶瓷材料中,無機發光材料顆粒直徑為0.01μm~10μm,再采用浮法、提拉、澆注方法制成基材。
所述發光材料采用物理氣相沉積、化學氣相沉積、涂敷、印刷方法,直接在基片上成膜。
所述的反射膜制備在光致發光膜或設置有光致發光膜的基材上,所述反射膜采用由NdF3/Al?F3材料對制備而成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





