[發(fā)明專利]一種光電轉(zhuǎn)換裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110353768.3 | 申請日: | 2011-11-10 |
| 公開(公告)號: | CN102446999A | 公開(公告)日: | 2012-05-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 朱敘國 | 申請(專利權(quán))人: | 朱敘國 |
| 主分類號: | H01L31/055 | 分類號: | H01L31/055;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243 | 代理人: | 王素琴 |
| 地址: | 266101 山東省青島市*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 光電 轉(zhuǎn)換 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種光電轉(zhuǎn)換裝置,該裝置具有光電池,所述光電池包括基片(12)和抗反射膜(11),所述基片(12)上設(shè)置有PN結(jié)(14)和電極,所述光電池還包括光致發(fā)光膜(21)、反射膜(22)和聚光膜(23),在光電池的迎光面上設(shè)置有多層光致發(fā)光膜(21),在光致發(fā)光膜(21)的迎光面上設(shè)置有多層反射膜(22),在反射膜(22)的迎光面上設(shè)置有聚光膜(23),其特征在于:所述光致發(fā)光膜(21)表面具有ZnO:Al薄膜(24)沉積,所述光致發(fā)光膜(21)的厚度為0.?1μm~5mm,所述光致發(fā)光膜(21)在有效激發(fā)光波長處的光學密度大于1,所述的光致發(fā)光膜(21)由發(fā)光材料或發(fā)光材料加入輔助成膜由量子效率大于30%的無機發(fā)光材料、有機發(fā)光材料其中的至少一種材料組,所述輔助成膜材料由在可見光區(qū)透明的太陽光譜范圍透過率大于70%的有機聚合物高分子材料、無機玻璃、陶磁材料其中的一種材料組成;所述多層反射膜(22)的折射率從下往上依次增大;所述的聚光膜(23)由在可見光內(nèi)透明的有機樹脂或無機玻璃材料組成,具有凸凹幾何形狀的不均勻薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換裝置,其特征在于:所述反射膜(22)是NdF3/Al?F3材料對反射膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電轉(zhuǎn)換裝置,其特征在于:所述的無機發(fā)光材料包括遠紫外線轉(zhuǎn)換近紫外光發(fā)光材料、藍色無機發(fā)光材料、綠色無機發(fā)光材料、黃綠光材料、紅色無機發(fā)光材料;所述的有機發(fā)光材料包括遠紫外線轉(zhuǎn)換近紫外光有機發(fā)光材料、藍色有機發(fā)光材料、綠色有機低分子發(fā)光材料、黃色有機低分子發(fā)光材料、紅色有機低分子發(fā)光材料、共扼有機高分子發(fā)光材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電轉(zhuǎn)換裝置,其特征在于:在所述發(fā)光材料中摻入輔助摻雜劑,所述ZnO:Al薄膜(24)中Al的摻雜濃度是2%~4%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電轉(zhuǎn)換裝置,其特征在于:所述的光電池由無機、有機或無機和有機復合的半導體材料上形成的PN結(jié)或PIN結(jié)通過電極相互并聯(lián)或串聯(lián)制成。
6.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換裝置中的光致發(fā)光膜的生產(chǎn)方法,其特征在于:所述有機發(fā)光材料通過采用溶解、分散在輔助成膜材料中,制成光致發(fā)光膜(21)的可加工性材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換裝置中的光致發(fā)光膜的生產(chǎn)方法,其特征在于:所述有機發(fā)光材料通過化學合成法把有機發(fā)光材料的分子加入到非共扼有機高分子的主鏈或側(cè)鏈上,制成光致發(fā)光膜?(21)的可加工性材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換裝置中的光致發(fā)光膜的生產(chǎn)方法,其特征在于:所述無機發(fā)光材料通過溶解、混合、分散在無機玻璃、陶瓷材料中,無機發(fā)光材料顆粒直徑為0.01μm~10μm,再采用浮法、提拉、澆注方法制成基材。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換裝置中的光致發(fā)光膜的生產(chǎn)方法,其特征在于:所述發(fā)光材料采用物理氣相沉積、化學氣相沉積、涂敷、印刷方法,直接在基片(12)上成膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求6~9任一項所述的光電轉(zhuǎn)換裝置中的光致發(fā)光膜的生產(chǎn)方法,其特征在于:所述發(fā)光材料加入輔助成膜材料中的重量比例是0.1~99%。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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