[發明專利]具有鰭狀結構的場效晶體管的結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201110351959.6
• 申請日: 2011-11-09
• 公開（公告）號: CN103107139B
• 公開（公告）日: 2017-06-06
• 發明（設計）人: 林建廷
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種具有鰭狀結構的場效晶體管的制作方法，包含有：

提供一基底；

形成一第一導電型的離子阱于該基底內，且該離子阱具有一第一摻質濃度；

形成至少一鰭狀結構，設置于該基底上；

進行至少一第一離子注入制作工藝，以形成一位于該基底的第一導電型的抗貫穿(anti-punch)離子注入區，其中該抗貫穿離子注入區具有一第三摻質濃度，且該第三摻質濃度大于該第一摻質濃度；

在該第一離子注入制作工藝之后，通過外延制作工藝形成至少一通道層沿著該鰭狀結構的至少一表面設置；

形成一柵極，覆蓋住部分的該鰭狀結構；以及

形成一源極以及一漏極，設置于該柵極的兩側的該鰭狀結構中。

2.如權利要求1所述的具有鰭狀結構的場效晶體管的制作方法，其中形成該鰭狀結構的步驟包含有：

形成一半導體層于該基底上；以及

蝕刻該半導體層，以形成該鰭狀結構。

3.如權利要求1所述的具有鰭狀結構的場效晶體管的制作方法，其中形成該鰭狀結構的步驟包含有：

制作一圖案化硬掩模層于該基底上；以及

成長一半導體層于暴露出于該圖案化硬掩模層的該基底上，以形成該鰭狀結構。

4.如權利要求3所述的具有鰭狀結構的場效晶體管的制作方法，其中形成該鰭狀結構后，另包含有：

形成一絕緣層，覆蓋該鰭狀結構；

對絕緣層進行一研磨制作工藝；以及

對絕緣層進行一回蝕刻制作工藝。

5.如權利要求4所述的具有鰭狀結構的場效晶體管的制作方法，其中在進行該回蝕刻制作工藝之后，另包含有：

移除該圖案化硬掩模層。

6.如權利要求1所述的具有鰭狀結構的場效晶體管的制作方法，其中進行該第一離子注入制作工藝的時點是在形成該鰭狀結構之前。

7.如權利要求4所述的具有鰭狀結構的場效晶體管的制作方法，其中進行該第一離子注入制作工藝的時點是在形成該絕緣層以及進行該研磨制作工藝之間。

8.如權利要求4所述的具有鰭狀結構的場效晶體管的制作方法，其中進行該第一離子注入制作工藝的時點是在進行該研磨制作工藝以及進行該回蝕刻制作工藝之間。

9.如權利要求5所述的具有鰭狀結構的場效晶體管的制作方法，其中進行該第一離子注入制作工藝的時點是在進行該回蝕刻制作工藝以及移除該硬掩模層之間。

10.如權利要求5所述的具有鰭狀結構的場效晶體管的制作方法，其中進行該第一離子注入制作工藝的時點是在移除該硬掩模層以及形成該通道層之間。

11.如權利要求1所述的具有鰭狀結構的場效晶體管的制作方法，其中該第一離子注入制作工藝包含多道離子注入制作工藝。

12.如權利要求1所述的具有鰭狀結構的場效晶體管的制作方法，其中該通道層是順向性地覆蓋于該鰭狀結構的表面上。

13.如權利要求1所述的具有鰭狀結構的場效晶體管的制作方法，其中該通道層是設置于該鰭狀結構的表面內側。

14.如權利要求1所述的具有鰭狀結構的場效晶體管的制作方法，其中該通道層是選自硅層、硅化鍺層、碳化硅層或上述的組合。

15.如權利要求1所述的具有鰭狀結構的場效晶體管的制作方法，其中形成該通道層后，另包含有：

進行一第二離子注入制作工藝，調控該通道層的摻質濃度。

16.如權利要求15所述的具有鰭狀結構的場效晶體管的制作方法，其中該第二離子注入制作工藝包含斜向離子注入(tilted-angle ion implantation)制作工藝。