[發明專利]一種光阻涂布的方法及裝置

有效

• 申請號: 201110351490.6
• 申請日: 2011-11-08
• 公開（公告）號: CN103094093A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 戴新華;彭超群;方表峰;杜兆董
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/312
• 分類號: H01L21/312;G03F7/16
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及半導體器件生產技術領域，特別涉及一種光阻涂布的方法及裝置。

背景技術

目前，半導體器件采用光刻(MASK)工藝進行制造，而光刻工藝包括：光阻涂布，掩膜、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝。具體包括：將光阻均勻地涂布在芯片表面，使芯片可以利用曝光機來制作圖案，經過刻蝕后定義出電路。

一般，制作一個半導體器件需要經過多次光刻工藝，晶片經過前段生產工藝，在晶片上刻蝕出相應的電路布局，導致晶片表面凹凸不平，這樣，晶片在后段生產工藝，須在在對凹凸不平的晶片表面進行光阻涂布，從而會導致晶片表面每個區域的光阻厚度不均。

其中，在凹槽的側壁區域涂布的光阻厚度會相對偏薄，當其厚度低于某個閾值時，曝光和顯影后，保留的光阻將起不到抗刻蝕的作用，定義的電路被破壞，導致芯片不能正常工作。

發明內容

本發明實施例提供一種光阻涂布的方法及裝置，用以降低半導體芯片的不良率。

本發明實施例提供一種光阻涂布的方法，包括：

將晶片放置在工作臺上；

對所述晶片進行至少兩次的光阻涂布，其中，每次光阻涂布包括：旋轉所述工作臺，并使所述工作臺上方的光阻輸配噴嘴噴出光阻。

本發明實施例提供光阻涂布的裝置，包括：

工作臺，用于放置晶片，并在控制單元的控制下旋轉；

光阻輸配噴嘴，位于所述工作臺上方，用于在控制單元的控制下向所述晶片噴出光阻；

控制單元，用于控制所述工作臺以及光阻輸配噴嘴對所述晶片進行至少兩次的光阻涂布，其中，每次光阻涂布包括：旋轉所述工作臺，并使所述光阻輸配噴嘴噴出光阻。

本發明實施例中，對放置在工作臺上的晶片上進行至少兩次的光阻涂布，其中，每次光阻涂布包括：旋轉所述工作臺，并使所述工作臺上方的光阻輸配噴嘴噴出光阻。這樣，使得涂布的光阻厚度均勻性得到顯著改善，刻蝕后最薄處光阻剩余厚度足以擋住護層刻蝕，因此可以解決護層過刻問題，確保刻蝕后圖形定義完整，降低半導體芯片的不良率。

附圖說明

圖1為本發明實施例中光阻涂布裝置的結構圖；

圖2為本發明實施例中光阻涂布的流程圖；

圖3為本發明實施例中一次光阻涂布后剩余光阻切片效果圖；

圖4為本發明實施例中兩次光阻涂布后剩余光阻切片效果圖。

具體實施方式

本發明實施例中，在對凹凸不平的晶片表面進行光阻涂布時，進行兩次，三次，或多次光阻涂布，這樣凹槽區域涂布的光阻厚度會增厚，避免凹槽側壁區域涂布的光阻厚度不足以抗刻蝕，起不到保護電路的作用。

光阻涂布的過程一般采用中心選擇噴涂法，其光阻涂布的裝置如圖1所示，包括：工作臺100，光阻輸配噴嘴200和控制單元300。其中，

工作臺100用于放置晶片，可在控制單元300的控制下進行旋轉，一般控制單元300控制工作臺100的轉速。

光阻輸配噴嘴200位于工作臺100上方，可在控制單元300的控制下噴出光阻，一般控制單元300控制光阻輸配噴嘴200噴出光阻的流量。

在光阻涂布作業過程中，旋轉工作臺，并且，從光阻輸配噴嘴200中噴出光阻。一次涂布過程中，90％以上的光阻在旋轉過程中被甩掉，這樣，在晶體的特殊區域，例如：凹槽的側壁處，覆蓋的光阻厚度比較薄，低于刻蝕對光阻的最低需求厚度7K，因此，還需對晶片進行第二次，第三次，或更多次的光阻涂布作業。

參見圖2，本發明實施例中光阻涂布的過程包括：

步驟201：將晶片放置在工作臺上。

一般，將晶片放置在工作臺上的中心位置。

步驟202：對晶片進行至少兩次的光阻涂布。

在晶片的后段的MASK工藝中，由于晶片表面凹凸不平，為確保晶片每個區域的光阻的厚度都能達到刻蝕對光阻的最低需求厚度，對晶片進行兩次或多次的光阻涂布。每次光阻涂布包括：旋轉工作臺，并使工作臺上方的光阻輸配噴嘴噴出光阻。

較佳地，對晶片進行兩次的光阻涂布就可以使得特殊區域的光阻厚度達到刻蝕對光阻的最低需求厚度。

例如：參見圖3，對晶片進行第一次的光阻涂布時，光阻最薄處厚度約為6K，而對晶片進行第二次的光阻涂布后，參見圖4，光阻最薄處厚度可達到22K，遠遠大于蝕對光阻的最低需求厚度7K。