[發明專利]一種AlGaN單晶制備方法

無效

• 申請號: 201110350936.3
• 申請日: 2011-11-08
• 公開（公告）號: CN102443842A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 曹永革;童浩;劉著光;鄧種華;黃集權
• 申請（專利權）人: 中國科學院福建物質結構研究所
• 主分類號: C30B1/10
• 分類號: C30B1/10;C30B29/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于AlGaN晶體制備方法，包括如下步驟：將金屬鎵和AlN單晶混合;?將得到的混合物放入加熱體系內，排除其內大氣成分；將體系慢慢升溫，在室溫至400?^oC階段通以保護性氣體，在300-500?^oC期間通少量還原性氣體；將以上所述體系繼續加熱至800?^oC-1300?^oC，并恒溫1天以上，期間保持通以保護性氣體維持系統正壓，利用熱擴散效應使金屬Ga摻入AlN單晶生成AlGaN；待以上步驟所述的體系加熱程序結束及自然冷卻，得到目標產物。

2.按權利要求1所述的AlGaN單晶制備方法，其特征在于：所述的AlN單晶，金屬Ga，其純度不低于99.9%。

3.按權利要求1所述的AlGaN單晶制備方法，其特征在于：所述的保護性氣體為氮氣或氬氣，所述的還原性氣體為氫氣，這些氣體純度在99.9%以上。

4.按權利要求1所述的AlGaN單晶制備方法，所述的排除其內大氣成分的方法如下：系統抽真空至系統氣壓低于100?pa，然后充以保護性氣體至正壓，再抽真空至低于100pa；重復以上步驟2-6次。

5.??按權利要求1-4其中任一方法生成得到的AlGaN晶體，其特征在于：AlGaN中Al、Ga成份的含量可通過生長溫度和時間來調節。