[發明專利]制造半導體發光器件的方法

有效

• 申請號: 201110350755.0
• 申請日: 2011-11-01
• 公開（公告）號: CN102456792A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: 許元九;申永澈;金起范;崔丞佑
• 申請（專利權）人: 三星LED株式會社
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/42;H01L33/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓芳

本申請要求于2010年11月1日在韓國知識產權局提交的第10-2010-0107738號韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的公開通過引用包含于此。

技術領域

本發明涉及一種制造半導體發光器件的方法。

背景技術

通常，發光二極管(LED)-一種半導體發光器件，是一種能夠在向其施加電流時由于p型半導體和n型半導體之間的結合處的電子和空穴的復合而產生各種顏色的光的半導體器件。由于與基于燈絲的發光器件相比，半導體發光器件具有各種優點，例如，長壽命、低功耗、優異的初始驅動特性、高抗振性等，所以對這種半導體發光器件的需求持續增長。具體地講，近來，能夠發射具有短波長的藍光的第III族-氮化物半導體突顯出來。

可以通過在基底上生長發光結構來得到使用第III族-氮化物半導體的發光器件，其中，發光結構包括n型和p型氮化物半導體層及形成在它們之間的活性層。在這種情況下，可以在發光結構的表面上形成透明電極。透明電極可以被設置成執行半導體層與發光結構之間的歐姆接觸功能或電流分布功能。透明電極需要具有優異的結晶度，以具有高水平的電導率和半透明度。當結晶度劣化時，即使在優異的發光結構質量的情況下，也會使器件特性明顯降低。因此，需要能夠改善在現有技術中的發光器件中使用的透明電極的質量的方案。

發明內容

本發明的一方面提供了一種包括這樣的透明電極的半導體發光器件，即，通過使透明電極的特性的劣化現象最小化而使透明電極具有優異的電學功能性。

根據本發明的一方面，提供了一種制造半導體發光器件的方法，所述方法包括以下步驟：通過在基底上順序地生長n型氮化物半導體層、活性層和p型氮化物半導體層來形成發光結構；通過濺射工藝在p型氮化物半導體層上形成透明電極；在濺射工藝之前或者在濺射工藝過程中，在執行濺射工藝的反應室的內部形成氮氣氣氛。透明電極可以由透明導電氧化物制成。

透明電極可以由透明導電氧化物制成。

在濺射工藝過程中，從p型氮化物半導體層發射氮粒子，使得在p型氮化物半導體層中產生氮空位。在這種情況下，反應室內部的氮氣填充氮空位。

透明電極可以包括在氮氣氣氛下形成的一部分和在中斷對氮氣的供應的狀態下形成的另一部分。

在透明電極中，在氮氣氣氛下可以形成透明電極的一部分之后，可以在中斷對氮氣的供應的狀態下形成透明電極的另一部分。

在透明電極可以完全覆蓋p型氮化物半導體層的上表面之后，中斷對反應室內部的氮氣的供應。

p型氮化物半導體層可以由p型GaN形成。

所述方法還可以包括以下步驟：通過去除發光結構的一部分來暴露n型氮化物半導體層的一部分；在具有暴露部分的n型氮化物半導體層上形成第一電極；在透明電極上形成第二電極。

所述方法還可以包括在n型氮化物半導體層上形成透明電極。

形成在n型氮化物半導體層上的透明電極可以是通過濺射工藝形成的。在濺射工藝之后，n型氮化物半導體層的設置在透明電極下方的區域的氦空位的濃度可以比n型氮化物半導體層的其它區域的氮空位的濃度高。

所述方法還可以包括在形成在n型氮化物半導體層上的透明電極的上部上形成n型電極和在形成在p型氮化物半導體層上的透明電極的上部上形成p型電極。

n型電極和p型電極可以由包含鋁(Al)的材料制成。

n型電極和p型電極可以由相同的材料制成。

n型電極和p型電極可以是同時形成的。

附圖說明

通過以下結合附圖的詳細描述，本發明的以上和其它方面、特征和其它優點將變得更加易于理解，在附圖中：

圖1至圖5是示意性示出了根據本發明實施例的制造半導體發光器件的方法的工藝剖視圖；

圖6是通過根據本發明實施例的制造半導體發光器件的方法獲得的半導體發光器件的示意性剖視圖；

圖7是根據本發明另一實施例制造的半導體發光器件的示意性剖視圖；

圖8是對圖7中的n型氮化物半導體層和n型電極外圍區域的放大圖；

圖9至圖12是解釋制造圖7的半導體發光器件的方法的示例的工藝剖視圖；

圖13是示意性地示出了根據本發明的半導體發光器件的用途的示例的構造圖。

具體實施方式

現在將參照附圖詳細地描述本發明的實施例。