[發明專利]制造半導體發光器件的方法

有效

• 申請號: 201110350755.0
• 申請日: 2011-11-01
• 公開（公告）號: CN102456792A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: 許元九;申永澈;金起范;崔丞佑
• 申請（專利權）人: 三星LED株式會社
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/42;H01L33/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓芳

1.一種制造半導體發光器件的方法，所述方法包括以下步驟：

通過在基底上順序地生長n型氮化物半導體層、活性層和p型氮化物半導體層來形成發光結構；

通過濺射工藝在p型氮化物半導體層上形成透明電極；

在濺射工藝之前或者在濺射工藝過程中，在執行濺射工藝的反應室的內部形成氮氣氣氛。

2.如權利要求1所述的方法，其中，透明電極由透明導電氧化物制成。

3.如權利要求1所述的方法，其中，在濺射工藝過程中，從p型氮化物半導體層發射氮粒子，使得在p型氮化物半導體層中產生氮空位。

4.如權利要求3所述的方法，其中，反應室內部的氮氣填充氮空位。

5.如權利要求1所述的方法，其中，透明電極包括在氮氣氣氛下形成的一部分和在中斷對氮氣的供應的狀態下形成的另一部分。

6.如權利要求5所述的方法，其中，在透明電極中，在氮氣氣氛下形成透明電極的一部分之后，在中斷對氦氣的供應的狀態下形成透明電極的另一部分。

7.如權利要求6所述的方法，其中，在透明電極完全覆蓋p型氮化物半導體層的上表面之后，中斷對反應室內部的氮氣的供應。

8.如權利要求1所述的方法，其中，p型氮化物半導體層由p型GaN形成。

9.如權利要求1所述的方法，所述方法還包括以下步驟：

通過去除發光結構的一部分來暴露n型氮化物半導體層的一部分；

在具有暴露部分的n型氮化物半導體層上形成第一電極；

在透明電極上形成第二電極。

10.如權利要求1所述的方法，所述方法還包括在n型氮化物半導體層上形成透明電極。

11.如權利要求10所述的方法，其中，形成在n型氮化物半導體層上的透明電極是通過濺射工藝形成的。

12.如權利要求11所述的方法，其中，在濺射工藝之后，n型氮化物半導體層的設置在透明電極下方的區域的氮空位的濃度比n型氮化物半導體層的其它區域的氮空位的濃度高。

13.如權利要求10所述的方法，所述方法還包括在形成在n型氮化物半導體層上的透明電極的上部上形成n型電極和在形成在p型氮化物半導體層上的透明電極的上部上形成p型電極。

14.如權利要求13所述的方法，其中，n型電極和p型電極由包含鋁的材料制成。

15.如權利要求13所述的方法，其中，n型電極和p型電極由相同的材料制成。

16.如權利要求13所述的方法，其中，n型電極和p型電極是同時形成的。