[發明專利]形成絕緣體上碳硅-鍺硅異質結1T-DRAM結構的方法及形成結構

有效

• 申請號: 201110349874.4
• 申請日: 2011-11-08
• 公開（公告）號: CN102543882A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 黃曉櫓;陳玉文
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種形成絕緣體上碳硅-鍺硅異質結1T-DRAM結構的方法，其特征在于，包括以下順序步驟：

步驟1：在SOI晶片上淀積一層硬掩膜層，對所述硬掩膜層進行光刻和刻蝕，在硬掩膜層上形成第一開口，所述第一開口中暴露出P型硅層；

步驟2：對第一開口中暴露出的P型硅層進行刻蝕，刻蝕至埋氧層上僅存一薄層P型硅層為止；

步驟3：對第一開口內進行SiGe選擇性外延生長，使第一開口內生長滿Si_1-xGe_x層，其中X為介于1和0之間且不包括0的數字；

步驟4：刻蝕除去除硬掩膜層，對整個晶片表面進行全局化的氧化處理，待Si_1-xGe_x層中鍺含量達到設定摩爾比后停止氧化；

步驟5：刻蝕除去由于氧化在P型硅板上形成的SiO₂層，并在露出P型硅片和P-SiGe層的表面外延一層Si薄膜層；

步驟6：在晶片上制備淺槽隔離和NMOS器件，所述NMOS器件中形成N⁺-SiC源區和N⁺-SiGe漏區；

步驟7：在晶片上覆蓋一層光刻膠層，對光刻膠層進行光刻形成第二開口，所述第二開口中暴露出N⁺-SiC源區；對第二開口中進行碳離子注入；

步驟8：去除晶片上多余光刻膠，進行退火工藝激活注入離子，形成N⁺-SiC源區。

2.根據權利要求1所述方法，其特征在于，所述硬掩膜層為氮化硅材料。

3.根據權利要求1所述方法，其特征在于，所述步驟4中刻蝕為濕法刻蝕。

4.根據權利要求1所述方法，其特征在于，所述步驟4中刻蝕為濕法刻蝕。

5.根據權利要求1所述方法，其特征在于，所述NMOS器件為PDNMOS器件。

6.一種由權利要求1所述方法形成的1T-DRAM結構，其特征在于，包括：

一半導體基板、一埋氧層，所述埋氧層覆蓋在半導體基板上；

一P型硅層，所述P型硅層覆蓋在埋氧層上，所述P型硅層上設有由STI分隔開的NMOS器件，其中所述NMOS器件中的溝道為P型SiGe，所述NMOS器件中的源區為N⁺-SiC、漏區為N⁺-SiGe。

7.根據權利要求6所述的1T-DRAM結構，其特征在于，所述NMOS器件中的柵極和側墻之間設有側墻阻擋層。

8.根據權利要求6所述的1T-DRAM結構，其特征在于，所述NMOS器件為PDNMOS器件。