[發明專利]一種磁控濺射可鋼化雙銀LOW-E 玻璃及制備該玻璃的方法

有效

• 申請號: 201110348500.0
• 申請日: 2011-11-07
• 公開（公告）號: CN102503174A
• 公開（公告）日: 2012-06-20
• 發明（設計）人: 林改
• 申請（專利權）人: 中山市格蘭特實業有限公司火炬分公司
• 主分類號: C03C17/36
• 分類號: C03C17/36
• 代理公司: 中山市科創專利代理有限公司 44211
• 代理人: 謝自安

【技術領域】

本發明涉及一種磁控濺射可鋼化雙銀LOW-E玻璃，本發明還涉及一種磁控濺射法制備可鋼化雙銀LOW-E玻璃的方法。?

【背景技術】

玻璃是在當代的生產和生活中扮演著重要角色，建筑物的門窗汽車車窗和擋風玻璃等等許多地方都用到玻璃，給生產和生活帶來了很多的方便。但是現有的鍍膜玻璃的鍍膜層與玻璃基材的結合力弱、鍍膜層疏松、不均勻。?

【發明內容】

本發明目的是克服了現有技術的不足，提供一種透過率高，鍍膜層與玻璃基材的結合力強、鍍膜層致密、均勻的磁控濺射可鋼化雙銀LOW-E玻璃，本發明還提供一種磁控濺射法制備可鋼化雙銀LOW-E玻璃的方法。?

本發明是通過以下技術方案實現的：?

一種磁控濺射可鋼化雙銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片1，其特征在于：在玻璃基片的復合面上由內到外依次相鄰地磁控濺射有十三個膜層，其中第一膜層即最內層為SiO₂層21，第二層為TiO₂層22，第三層為CrN_x層23，第四層為ZnO層24，第五層為Ag層25，第六層為NiCrO_y層26，第七層為TiO₂層27，第八層為ZnSn₃O₄層28，?第九層為ZnO層29，第十層為Ag層210，第十一層為NiCrO_y層211，第十二層為TiO₂層212，最外層為Si₃N₄O_y層213。?

如上所述的磁控濺射可鋼化雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜層SiO₂層21的厚度為23～27nm，第二層TiO₂層22的厚度為28～32nm，第三層CrN_x層23的厚度為1.5～3nm，第四層ZnO層24的厚度為8～12nm，第五層Ag層25的厚度為8～12nm，第六層NiCrO_y層26的厚度為1.5～3nm，第七層TiO₂層27的厚度為28～32nm，第八層ZnSn₃O₄層28的厚度為58～62nm，第九層ZnO層29的厚度為8～12nm，第十層Ag層210的厚度為8～12nm，第十一層NiCrO_y層211的厚度為1.5～3nm，第十二層TiO₂層212的厚度為18～22nm，最外層Si₃N₄O_y層213的厚度為28～32nm。?

一種磁控濺射法制備上述的可鋼化雙銀LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步驟：?

(1)磁控濺射SiO₂層，用交流中頻電源、氮氣作反應氣體濺射半導體材料重量比Si∶Al(90～98∶2～10)；?

(2)磁控濺射TiO2層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；?

(3)磁控濺射CrNx層，用氮氣做反應氣體，用直流電源濺射；?

(4)磁控濺射ZnO層，平滑CrNx層，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn靶，為Ag層作鋪墊；?

(5)磁控濺射Ag層，交流電源濺射；?

(6)磁控濺射NiCrO_y層，用氮氣做反應氣體，滲少量氧氣，用直流電源濺射；?

(7)磁控濺射TiO2層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；?

(8)磁控濺射ZnSn3O4層，用中頻交流電流濺射ZnSn重量比(Zn∶Sn＝48～52∶48～52)；?

(9)磁控濺射ZnO層，平滑CrNx層，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn靶，為Ag層作鋪墊；?

(10)磁控濺射Ag層，交流電源濺射；?

(11)磁控濺射NiCrO_y層，用氮氣做反應氣體，滲少量氧氣，用直流電源濺射；?

(12)磁控濺射TiO2層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；?

(13)磁控濺射Si3N4Oy層，氮氣作反應氣體、用交流中頻電源濺射半導體材料重量比Si∶Al(90～98∶2～10)。?