[發明專利]一種磁控濺射可鋼化雙銀LOW-E 玻璃及制備該玻璃的方法

有效

• 申請號: 201110348500.0
• 申請日: 2011-11-07
• 公開（公告）號: CN102503174A
• 公開（公告）日: 2012-06-20
• 發明（設計）人: 林改
• 申請（專利權）人: 中山市格蘭特實業有限公司火炬分公司
• 主分類號: C03C17/36
• 分類號: C03C17/36
• 代理公司: 中山市科創專利代理有限公司 44211
• 代理人: 謝自安

1.一種磁控濺射可鋼化雙銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片(1)，其特征在于：在玻璃基片的復合面上由內到外依次相鄰地磁控濺射有十三個膜層，其中第一膜層即最內層為SiO₂層(21)，第二層為TiO₂層(22)，第三層為CrN_x層(23)，第四層為ZnO層(24)，第五層為Ag層(25)，第六層為NiCrO_y層(26)，第七層為TiO₂層(27)，第八層為ZnSn₃O₄層(28)，第九層為ZnO層(29)，第十層為Ag層(210)，第十一層為NiCrO_y層(211)，第十二層為TiO₂層(212)，最外層為Si₃N₄O_y層(213)。

2.根據權利要求1所述的磁控濺射可鋼化雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜層SiO₂層(21)的厚度為23～27nm，第二層TiO₂層(22)的厚度為28～32nm，第三層CrN_x層(23)的厚度為1.5～3nm，第四層ZnO層(24)的厚度為8～12nm，第五層Ag層(25)的厚度為8～12nm，第六層NiCrO_y層(26)的厚度為1.5～3nm，第七層TiO₂層(27)的厚度為28～32nm，第八層ZnSn₃O₄層(28)的厚度為58～62nm，第九層ZnO層(29)的厚度為8～12nm，第十層Ag層(210)的厚度為8～12nm，第十一層NiCrO_y層(211)的厚度為1.5～3nm，第十二層TiO₂層(212)的厚度為18～22nm，最外層Si₃N₄O_y層(213)的厚度為28～32nm。

3.一種磁控濺射法制備權利要求1所述的可鋼化雙銀LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步驟：

(1)磁控濺射SiO₂層，用交流中頻電源、氮氣作反應氣體濺射半導體材料重量比Si∶A1(90～98∶2～10)；

(2)磁控濺射TiO2層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；

(3)磁控濺射CrNx層，用氮氣做反應氣體，用直流電源濺射；

(4)磁控濺射ZnO層，平滑CrNx層，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn靶，為Ag層作鋪墊；

(5)磁控濺射Ag層，交流電源濺射；

(6)磁控濺射NiCrO_y層，用氮氣做反應氣體，滲少量氧氣，用直流電源濺射；

(7)磁控濺射TiO2層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；

(8)磁控濺射ZnSn3O4層，用中頻交流電流濺射ZnSn重量比(Zn∶Sn＝48～52∶48～52)；

(9)磁控濺射ZnO層，平滑CrNx層，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn靶，為Ag層作鋪墊；

(10)磁控濺射Ag層，交流電源濺射；

(11)磁控濺射NiCrO_y層，用氮氣做反應氣體，滲少量氧氣，用直流電源濺射；

(12)磁控濺射TiO2層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；

(13)磁控濺射Si3N4Oy層，氮氣作反應氣體、用交流中頻電源濺射半導體材料重量比Si∶A1(90～98∶2～10)。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于所述第一膜層SiO₂層(21)的厚度為23～27nm，第二層TiO₂層(22)的厚度為28～32nm，第三層CrN_x層(23)的厚度為1.5～3nm，第四層ZnO層(24)的厚度為8～12nm，第五層Ag層(25)的厚度為8～12nm，第六層NiCrO_y層(26)的厚度為1.5～3nm，第七層TiO₂層(27)的厚度為28～32nm，第八層ZnSn₃O₄層(28)的厚度為58～62nm，第八層ZnO層(29)的厚度為8～12nm，第十層Ag層(210)的厚度為8～12nm，第十一層NiCrO_y層(211)的厚度為1.5～3nm，第十二層TiO₂層(212)的厚度為18～22nm，最外層Si₃N₄O_y層(213)的厚度為28～32nm。