[發(fā)明專利]集成電路封裝材料的合成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110345260.9 | 申請日： | 2011-11-04 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102364665A | 公開（公告）日： | 2012-02-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 徐振武 | 申請（專利權(quán)）人： | 徐振武 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/48 | 分類號(hào)： | H01L21/48;C22C11/06;B22D27/04 |
| 代理公司： | 石家莊科誠專利事務(wù)所 13113 | 代理人： | 張紅衛(wèi) |
| 地址： | 065700 河*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 集成電路 封裝 材料 合成 方法 | ||
1.一種集成電路封裝材料的合成方法，制成所述集成電路封裝材料有效成份的原料包括重量份數(shù)比為2：1：37的錫、銀、鉛，其特征在于：該合成方法按照以下步驟順序進(jìn)行：
(1)?熔煉
取錫與銀，在真空熔煉爐中加熱至熔融，冷卻成型，得錫銀二元金屬錠A；
取鉛，與錫銀二元金屬錠A，在敞口耐高溫容器中加熱至400—450℃熔煉至熔融，得熔融三元金屬液體B；?
(2)?去除氧化渣
對熔融三元金屬液體B進(jìn)行攪拌，去氧化渣，得待鑄金屬液C；
(3)鑄錠
將待鑄金屬液C無流隔氧劇冷成型，即得。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路封裝材料的合成方法，其特征在于所述無流隔氧劇冷成型即：
將15—30℃恒溫的敞口模具，快速浸入到熔融三元金屬液體C中，停留5—8min，提起，快速冷卻成型。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路封裝材料的合成方法，其特征在于：所述步驟（1）前還設(shè)有步驟（1′），即：
（1′）表面處理
取錫、鉛、銀，分別去除表面氧化皮。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路封裝材料的合成方法，其特征在于：所述步驟（1）與步驟（1′）間還設(shè)有步驟（1″），即：
（1″）純度分析
對錫、鉛、銀進(jìn)行純度分析，選用純度為99.99%以上的原材料。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
