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[發明專利]一種提高金針菇產量的方法有效

專利信息
申請號: 201110345058.6 申請日: 2011-11-04
公開(公告)號: CN102498945A 公開(公告)日: 2012-06-20
發明(設計)人: 張海蘭;萬魯長;黃春燕;張柏松;任海霞 申請(專利權)人: 山東省農業科學院農業資源與環境研究所
主分類號: A01G1/04 分類號: A01G1/04;A01G7/04
代理公司: 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219 代理人: 許德山
地址: 250100 山東*** 國省代碼: 山東;37
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摘要:
搜索關鍵詞: 一種 提高 金針菇 產量 方法
【說明書】:

技術領域

發明涉及一種提高金針菇產量的方法,屬于農業微生物技術領域。

背景技術

金針菇是我國最早進行人工栽培的食用菌之一。肉質脆嫩、味道鮮美,營養豐富,深受人們喜愛?,F有生產技術有的通過改進培養基、有的通過改進栽培工藝、出菇管理條件等來實現提高金針菇的產量的目的。例如CN101514130A(申請號200910106333.1)公開了一種高產金針菇培養基配方,以玉米芯為主要成份取代杉木屑,以40~45%的玉米芯、10~12%甜菜渣、25~30%米糠、8~10%麩皮、4~6%大豆皮、2~3%玉米粉作為金針菇的培養基原料,通過干拌、濕拌等工藝,并控制其pH值在7.0~7.5之間,培養出的金針菇具有菌絲活力強,產量高,出菇整齊,并且金針菇的商品價值好,子實體生長整齊,菌帽大小均勻,顏色浩白,沒有感染,單產達創286~293克/瓶,每瓶干料260克,生物學轉化率高達110~113%,比常用配方提高30~40%,經濟效益好。

CN101946637A(申請號201010283584.X)公開了一種黃色金針菇設施栽培方法,它包括金針菇培養基的配置,培養基采用棉籽殼、麩皮、廢棉、玉米粉和石灰作為原料,然后將配置好的培養基裝袋,在高壓或常壓下滅菌,并在無菌操作下接入菌種,將接種菌袋放在培養室中培養發菌,當長滿菌絲后,加水進行催蕾,同時對環境溫度、光照等進行控制,當金針菇子實體長至16~20cm長時進行采收。根據金針菇的生長特性提供了一種易于推廣的人工栽培方法,不受自然條件限制可以周年生產金針菇,經過該方法栽培出來的黃色金針菇具有品質優良、生長周期短、產量高、栽培成本低等優點。

CN?101352126A(申請號200810139160.9)公開了一種提高平菇生長速度及產量的方法,屬于農業微生物技術領域。一種提高平菇生長速度及產量的方法,先將平菇菌絲通過磁場磁化處理,然后進行磁化后培養,隨后采用現有成熟的平菇栽培技術,進行原種、栽培種、生產種轉接,采用袋栽模式,大棚出菇。該發明通過定量控制磁場強度及處理時間,能夠使平菇生產性狀得到改良。

現有技術都不涉及對金針菇菌體材料的處理。

發明內容

針對現有技術的不足,本發明提供一種金針菇菌絲處理方法及提高金針菇產量的方法。它采用高壓靜電場處理金針菇菌體材料,將靜電學與菌物學兩個學科有機結合,實現金針菇栽培產量的大幅提高。

術語說明:

靜電場處理量指實際處理菌絲時所施予的靜電場強和處理時間之乘積,以S=Et表示,E為靜電場強,t為處理時間。

本發明的技術方案如下:

一種提高金針菇產量的方法,包括金針菇母種制作培養、原種制作培養、袋栽或瓶栽培養、出菇管理,所述金針菇母種制作培養步驟如下:

將金針菇母種菌絲置于場強為300~1000kV/m的高壓靜電場中,處理10~120分鐘。

優選的,上述場強為600~900kV/m,處理時間為40~80分鐘。

上述金針菇母種菌絲是將金針菇菌絲接種于母種培養基上,在溫度25~27℃的條件下,培養2~8天制得;

母種培養基組分如下:

去皮馬鈴薯150~250g,葡萄糖15~25g,磷酸二氫鉀0.8~1.2g,硫酸鎂0.8~1.2g,蛋白胨2.5~3.5g,酵母浸粉1.5~2.5g,瓊脂18~22g,加水定容至1000ml。

上述操作步驟及培養基如無特別說明均可采用本領域常規技術。

以上所述的金針菇母種制作培養、原種制作培養、袋栽或瓶栽培養、出菇管理均采用現有成熟的金針菇栽培技術。

上述高壓靜電處理,采用如下裝置實現:

一種用于處理金針菇菌絲的高壓靜電裝置,包括30KV高壓靜電產生器1、電纜2和2塊電場極板3、4,所述30KV高壓靜電產生器1的正極和負極分別通過電纜2與2塊電場極板3、4電連接;所述30KV高壓靜電產生器包括直流穩壓電源、方波發生器、升壓器和高壓整流器,所述直流穩壓電源與方波發生器、升壓器并聯連接,方波發生器與升壓器、高壓整流器串聯連接。

所述的2塊電場極板包括上電場極板和下電場極板,所述30KV高壓靜電產生器的正極通過電纜與下電場極板電連接,所述30KV高壓靜電產生器的負極通過電纜與上電場極板電連接。

所述2塊電場極板之間的距離為10-80mm。

優選的,所述2塊電場極板之間的距離為30mm。

所述的2塊電場極板為2塊外形尺寸為50cm×50cm的有絕緣框架的金屬板。

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