[發(fā)明專利]一種提高金針菇產(chǎn)量的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110345058.6 | 申請(qǐng)日: | 2011-11-04 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102498945A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-06-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張海蘭;萬(wàn)魯長(zhǎng);黃春燕;張柏松;任海霞 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 山東省農(nóng)業(yè)科學(xué)院農(nóng)業(yè)資源與環(huán)境研究所 |
| 主分類號(hào): | A01G1/04 | 分類號(hào): | A01G1/04;A01G7/04 |
| 代理公司: | 濟(jì)南金迪知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37219 | 代理人: | 許德山 |
| 地址: | 250100 山東*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 提高 金針菇 產(chǎn)量 方法 | ||
1.一種提高金針菇產(chǎn)量的方法,包括金針菇母種制作培養(yǎng)、原種制作培養(yǎng)、袋栽或瓶栽培養(yǎng)、出菇管理,其特征在于,所述金針菇母種制作培養(yǎng)步驟如下:
將金針菇母種菌絲置于場(chǎng)強(qiáng)為300~1000kV/m的高壓靜電場(chǎng)中,處理10~120分鐘。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述場(chǎng)強(qiáng)為600~900kV/m,處理時(shí)間為40~80分鐘。
3.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述金針菇母種菌絲是將金針菇菌絲接種于母種培養(yǎng)基上,在溫度25~27℃的條件下,培養(yǎng)2~8天制得。
4.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,母種培養(yǎng)基組分如下:
去皮馬鈴薯150~250g,葡萄糖15~25g,磷酸二氫鉀0.8~1.2g,硫酸鎂0.8~1.2g,蛋白胨2.5~3.5g,酵母浸粉1.5~2.5g,瓊脂18~22g,加水定容至1000ml。
5.一種用于權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述方法的高壓靜電裝置,其特征在于,該裝置包括30KV高壓靜電產(chǎn)生器、電纜和2塊電場(chǎng)極板,所述30KV高壓靜電產(chǎn)生器的正極和負(fù)極分別通過(guò)電纜與2塊電場(chǎng)極板電連接;所述30KV高壓靜電產(chǎn)生器包括直流穩(wěn)壓電源、方波發(fā)生器、升壓器和高壓整流器,所述直流穩(wěn)壓電源與方波發(fā)生器、升壓器并聯(lián)連接,方波發(fā)生器與升壓器、高壓整流器串聯(lián)連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高壓靜電裝置,其特征在于,所述的2塊電場(chǎng)極板包括上電場(chǎng)極板和下電場(chǎng)極板,所述30KV高壓靜電產(chǎn)生器的正極通過(guò)電纜與下電場(chǎng)極板電連接,所述30KV高壓靜電產(chǎn)生器的負(fù)極通過(guò)電纜與上電場(chǎng)極板電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高壓靜電裝置,其特征在于,所述2塊電場(chǎng)極板之間的距離為10-80mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高壓靜電裝置,其特征在于,所述2塊電場(chǎng)極板之間的距離為30mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高壓靜電裝置,其特征在于,所述的2塊電場(chǎng)極板為2塊外形尺寸為50cm×50cm的有絕緣框架的金屬板。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的高壓靜電裝置,其特征在于,所述的金屬板為單面覆銅板,所述2塊電場(chǎng)極板相對(duì)的面為覆銅板。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于山東省農(nóng)業(yè)科學(xué)院農(nóng)業(yè)資源與環(huán)境研究所,未經(jīng)山東省農(nóng)業(yè)科學(xué)院農(nóng)業(yè)資源與環(huán)境研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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