[發明專利]一種半導體多數形成的控制方法

無效

• 申請號: 201110345055.2
• 申請日: 2011-11-04
• 公開（公告）號: CN102361020A
• 公開（公告）日: 2012-02-22
• 發明（設計）人: 洪旗
• 申請（專利權）人: 洪旗
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明公開了一種半導體多數形成的控制方法，屬于電子技術領域。

背景技術

隨著通訊網路的廣泛發展，諸如電訊會議，遠距教學，遠端監控的遠距通訊在工作及 家庭生活中變得更為普遍，這導致對低價大面積顯示器來提供加強視覺效果的需求，因此， 需要一種形成數個半導體的方法及系統處理上述產量及解析度的問題。

發明內容

本發明的目的是提供一種半導體多數形成的控制方法，用以解決上述技術中的不足。

本發明的目的是通過以下技術方案實現的：一種半導體多數形成的控制方法，其控制 方法的具體步驟是：

(1)蝕刻部分金屬層及介電層；

(2)沉積一摻雜的矽層；

(3)沉積源極-汲極金屬層；

(4)提供平坦化材料至該源極-汲極金屬層；

(5)移除平坦化材料的一部分；

(6)移除該源極-汲極金屬層的暴露部分；

(7)薄化壓印高分子的暴露部分；

(8)移除閘極金屬層部分。

本發明的有益效果是：廉價且容易適用于現存技術，有利于新技術的推廣與使用。

附圖說明

圖1是本發明控制方法的流程圖

具體實施方式

下面結合附圖對本發明作進一步說明。

如圖1所示，一種半導體多數形成的控制方法的具體步驟是：

(1)蝕刻部分金屬層及介電層；

(2)沉積一摻雜的矽層；

(3)沉積源極-汲極金屬層；

(4)提供平坦化材料至該源極-汲極金屬層；

(5)移除平坦化材料的一部分；

(6)移除該源極-汲極金屬層的暴露部分；

(7)薄化壓印高分子的暴露部分；

(8)移除閘極金屬層部分。