[發明專利]一種半導體多數形成的控制方法無效
| 申請號： | 201110345055.2 | 申請日： | 2011-11-04 |
| 公開（公告）號： | CN102361020A | 公開（公告）日： | 2012-02-22 |
| 發明（設計）人： | 洪旗 | 申請（專利權）人： | 洪旗 |
| 主分類號： | H01L21/77 | 分類號： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 221000 江蘇省徐州市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 多數 形成 控制 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體多數形成的控制方法，其特征在于所述的控制方法具體步驟是：
(1)蝕刻部分金屬層及介電層；
(2)沉積一摻雜的矽層；
(3)沉積源極-汲極金屬層；
(4)提供平坦化材料至該源極-汲極金屬層；
(5)移除平坦化材料的一部分；
(6)移除該源極-汲極金屬層的暴露部分；
(7)薄化壓印高分子的暴露部分；
(8)移除閘極金屬層部分。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
