[發明專利]一種正八邊形霍爾盤結構的CMOS傳感器及其制作方法

無效

• 申請號: 201110344479.7
• 申請日: 2011-11-04
• 公開（公告）號: CN102509767A
• 公開（公告）日: 2012-06-20
• 發明（設計）人: 郭曉雷;金湘亮;夏宇
• 申請（專利權）人: 湖南追日光電科技有限公司
• 主分類號: H01L43/06
• 分類號: H01L43/06;H01L43/04;H01L43/14
• 代理公司: 湘潭市匯智專利事務所 43108
• 代理人: 顏昌偉

1.一種正八邊形霍爾盤結構的CMOS傳感器，其特征在于：包括p型襯底、正八邊形n阱、p+摻雜區、n+摻雜區、耗盡層、淺摻雜p+摻雜區、氧化層和鋁層，所述的正八邊形n阱位于p型襯底上，p+摻雜區位于正八邊形n阱邊緣外側，n+摻雜區位于正八邊形n阱邊緣內側，所述的耗盡層位于正八邊形n阱與p型襯底的交界處，所述的淺摻雜p+摻雜區位于正八邊形n阱上方，所述的氧化層位于正八邊形n阱表面，鋁層位于n+摻雜區上方。

2.一種正八邊形霍爾盤結構的CMOS傳感器的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

1）在p型襯底上注入一層正八邊形n阱；

2）在正八邊形n阱邊緣外側注入兩個p+摻雜區；

3）在正八邊形n阱每條邊的邊緣內側注入n+摻雜區；

4）在正八邊形n阱與p型襯底的交界處由離子的擴散效應形成一層耗盡層；

5）在正八邊形n阱上方注入一層淺摻雜的p+摻雜區，使其覆蓋整個正八邊形n阱區域；

6）在整個正八邊形n阱表面生長一層氧化層；

7）用特制的光刻掩模版光刻掉n+摻雜區上方的氧化層；

8）在去掉氧化層的區域生長一層鋁層，作為金屬電極，從而引出正八邊形n阱的八個端子。