[發明專利]一種提高光刻膠曝光精度的方法無效
| 申請號: | 201110344422.7 | 申請日: | 2011-11-03 |
| 公開(公告)號: | CN102354087A | 公開(公告)日: | 2012-02-15 |
| 發明(設計)人: | 毛旭;楊晉玲;楊富華 | 申請(專利權)人: | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 周國城 |
| 地址: | 100083 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提高 光刻 曝光 精度 方法 | ||
技術領域
本發明涉及微電子機械系統(MEMS)加工技術領域,尤其涉及一種提高對紫外光具有高透射性的光刻膠曝光精度的方法。
背景技術
近年來,在傳統的IC工藝基礎上發展起來的微電子機械系統研究進展十分迅速,特別是隨著MOEMS和BioMEMS的快速發展,利用各種高性能的聚合物(PMMA膠、聚酰亞胺光刻膠、KMPR膠、SU-8膠等)來實現通常制作工藝難以獲得的微結構的研究引起了高度關注,這些聚合物的圖形化主要通過光刻工藝實現。因此,曝光精度是制作高質量微納尺度聚合物結構的關鍵[1]。
玻璃是除硅以外最受重視的一種材料,具有較好的化學穩定性、大范圍的光譜穿透性、良好的絕熱性及絕緣性、熱穩定性和化學穩定性、價格便宜,容易和硅片鍵合,較低的光吸收系數及較好的生物兼容性等優點,在許多器件例如生物芯片、光探測器、冷卻器、色譜儀以及其它器件的制作中廣泛應用。例如,pyrex?7740玻璃和硅片的熱膨脹系數相近,鍵合后不易發生破裂,因此,被成功應用于MEMS器件制作和封裝方面。另外,在pyrex?7740玻璃上直接濺射金屬作為各種微傳感器、執行器的襯底和電極,比硅片重摻雜并濺射金屬電極要經濟得多,且工藝比較簡單。
石英玻璃是由二氧化硅(SiO2)單一組分構成的特種工業技術玻璃,具有其他材料不能取代的一系列特殊性能。其中透明石英玻璃是一種理想的光學材料,在微電子、光電子、精密光學、航天、核技術兵器等高新技術產業具有非常廣泛的應用。
光刻是一種在微電子機械系統制造領域中應用最廣泛,并還在不斷發展的微細加工方法。其原理是在硅等襯底材料上涂覆光刻膠,利用極限分辨率極高的能量束對光刻膠進行曝光、顯影,在光刻膠上獲得和掩模圖像相同的微細幾何圖形。選擇合適的光刻膠是光刻工藝的基礎。
隨著集成電路、MEMS制造技術的發展,光刻膠不斷更新換代,目前使用的光刻膠大多對紫外光有較強的吸收,如S9912正膠、L-300負膠,AZ膠系列等。但是,其它一些光刻膠對紫外光透過率高,如SU-8膠、聚酰亞胺、PMMA和KMPR等。
SU-8光刻膠是一種微納制造技術中廣泛應用的光刻膠[2-3]。由于SU-8光刻膠光敏性較好,吸收系數比較小,因此,可以實現在較短的時間、對幾百微米厚的SU-8光刻膠的均勻曝光,可以制作數百微米厚的高深寬比微結構。另外,SU-8膠對波長大于340nm的紫外光的透過率高于80%。這些具有透光性的SU-8光刻膠高深寬比結構是理想的微型光學元器件,如微透鏡、微棱鏡。
KMPR膠具有側壁高深寬比,不易腐蝕、不易被等離子體轟擊、易于粘附、長期穩定性好,可應用于MEMS、MOEMS和生物芯片等領域。其紫外光穿透率大于60%。
聚酰亞胺是具有熱穩定性的光刻膠,在400℃時仍然很穩定。具有良好的抗等離子刻蝕性能,可用于離子注入工藝。聚酰亞胺薄膜對波長為350nm的紫外光透過率為9.4%,對波長為550nm的紫外光透過率為84.2%。
聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)具有高透明度、材料成本低、可加工性好,對可見光的透光率可達92%,對紫外線的透過率為75%。
田學紅等已研究了紫外光的衍射效應對光刻精度的影響[4]。在透明襯底上涂敷高透射光刻膠后光刻,由于透過光刻膠和透明襯底的紫外光被光刻機晶片托盤反射,而導致光刻精度急劇降低。這種光刻精度的降低是通常器件制作中不可接受的。但是,到目前為止,這方面的系統研究還未見報道,迫切需要開發更簡單有效和低成本的光刻方法。
參考文獻:
[1]D.C.Bien,P.V.Rainey,S.J.Mitchell?and?H.S.Gamble,“Characteri-zation?of?masking?materials?for?deep?glass?micromachining,”J.Micromech.Microeng.13,S34-S40,2003.
[2]J.Onishi,K.Makabe,Y.Matsumoto,“Fabrication?of?micro?sloping?structures?of?SU-8?by?substrate?penetration?lithography,”Microsyst?Technol.14,1305-1310,2008.
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