[發明專利]一種提高光刻膠曝光精度的方法

無效

• 申請號: 201110344422.7
• 申請日: 2011-11-03
• 公開（公告）號: CN102354087A
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發明（設計）人: 毛旭;楊晉玲;楊富華
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種提高光刻膠曝光精度的方法，該光刻膠對紫外光具有高透射性，其特征在于，該方法是通過對透過光刻膠的紫外光進行垂直反射或對透過光刻膠的紫外光進行全吸收實現的。

2.根據權利要求1所述的提高光刻膠曝光精度的方法，其特征在于，所述對透過光刻膠的紫外光進行垂直反射，包括：

在透明襯底(6)正面旋涂具有高透射性的光刻膠(5)，將高反射性基片(10)粘貼于該透明襯底(6)的背面；

對光刻膠(5)進行曝光，依次透過光刻膠(5)和透明襯底(6)的紫外光垂直入射到該高反射性基片(10)；以及

該高反射性基片(10)垂直反射該紫外光，使該紫外光透過該透明襯底(6)二次進入光刻膠(5)的曝光區域，實現對透過光刻膠的紫外光進行垂直反射。

3.根據權利要求2所述的提高光刻膠曝光精度的方法，其特征在于，所述將高反射性基片(10)粘接于該透明襯底(6)的背面，是采用去離子水實現的。

4.根據權利要求2所述的提高光刻膠曝光精度的方法，其特征在于，所述高反射性基片(10)具有光潔度為Ra?0.012-0.8的拋光鏡面，以保證對透射紫外光實現垂直反射，避免對非曝光區的光刻膠(5)曝光。

5.根據權利要求2所述的提高光刻膠曝光精度的方法，其特征在于，所述透明襯底(6)為雙面拋光透明襯底，所述高反射性基片(10)為雙面拋光基片。

6.根據權利要求2所述的提高光刻膠曝光精度的方法，其特征在于，所述透明襯底(6)為pyrex?7740玻璃，所述光刻膠(5)為SU-8膠，所述高反射性基片(10)為拋光硅片。

7.根據權利要求1所述的提高光刻膠曝光精度的方法，其特征在于，所述對透過光刻膠的紫外光進行全吸收，包括：

在透明襯底(6)正面旋涂具有高透射性的光刻膠(5)，將第一拋光透明基片(11)正面粘貼于該透明襯底(6)的背面；

在第二拋光透明基片(13)正面旋涂對紫外光具有高吸收性的第二光刻膠(12)，將第二拋光透明基片(13)正面通過該第二光刻膠(12)粘接于該第一拋光透明基片(11)的背面；以及

對光刻膠(5)進行光刻，依次透過光刻膠(5)、透明襯底(6)和第一拋光透明基片(11)的紫外光被高吸收性的第二光刻膠(12)全吸收，不會再次進入光刻膠(5)。

8.根據權利要求7所述的提高光刻膠曝光精度的方法，其特征在于，所述將第一拋光透明基片(11)正面粘貼于該透明襯底(6)的背面，是采用去離子水實現的。

9.根據權利要求7所述的提高光刻膠曝光精度的方法，其特征在于，所述第二光刻膠(12)具有很強的紫外光吸收作用，對紫外光的吸收率在90％-100％之間，以避免紫外光透射到光刻機晶片托盤(7)上出現反射現象。

10.根據權利要求9所述的提高光刻膠曝光精度的方法，其特征在于，所述第一拋光透明基片(11)和第二拋光透明基片(13)具有很高的圓片級拋光平整性，其光潔度為Ra?0.012-0.8，表面粗糙度小于0.15nm，以保證其與光刻機晶片托盤(7)及透明襯底(6)之間的接觸平整性。

11.根據權利要求7所述的提高光刻膠曝光精度的方法，其特征在于，所述透明襯底(6)為雙面拋光透明襯底，所述第一拋光透明基片(11)和第二拋光透明基片(13)為雙面拋光透明基片。

12.根據權利要求7所述的提高光刻膠曝光精度的方法，其特征在于，所述第一拋光透明基片(11)和第二拋光透明基片(13)均為玻璃片，所述第二光刻膠(12)為L300光刻膠。