[發明專利]快閃存儲器限流裝置及應用該裝置的快閃存儲器

無效

• 申請號: 201110343739.9
• 申請日: 2011-11-03
• 公開（公告）號: CN103093811A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 冀永輝;馮二媛;劉明;于兆安
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種快閃存儲器限流裝置，其特征在于，該快閃存儲器限流裝置位于快閃存儲器的存儲單元陣列之外，包括：傳輸管、參考電流產生模塊和限流單元，其中，

所述傳輸管為PMOS管(MP0)，其柵端連接至電壓控制信號，漏端連接至存儲單元陣列中存儲單元源端擦除操作所需要的電壓PHV，源端連接至所述存儲單元中的源線；

所述PMOS管(MP0)的源端和所述存儲單元的源線共同作為所述限流單元的一個輸入端，參考電流產生模塊所產生的參考電流作為所述限流單元的另一個輸入端；

所述限流單元的輸出端接地，如果所述存儲單元源線的電流未超過所述參考電流產生模塊產生的參考電流，則限流單元截止；如果所述存儲單元的源線的電流大于所述參考電流產生模塊產生的參考電流，則電流通過所述限流單元放電到地。

2.根據權利要求1所述的快閃存儲器限流裝置，其特征在于，所述參考電流產生模塊通過電流鏡鏡像外部電流而產生參考電流。

3.根據權利要求1所述的快閃存儲器限流裝置，其特征在于，所述限流單元包括第一NMOS管(MN0)、第二NMOS管(MN1)、第三NMOS管(MN2)和第四NMOS管(MN3)，其中：

第一NMOS管(MN0)的漏極連接至參考電流產生模塊所產生的參考電流，控制柵極接第一控制信號I_EN，源極接到第二NMOS管(MN1)的漏極；

第二NMOS管(MN1)和第三NMOS管(MN2)組成一個電流鏡電路，第二NMOS管(MN1)的柵極與第三NMOS管(MN2)的柵極互連，并與第一NMOS管(MN0)的源極連接；

第三NMOS管(MN2)的漏極連接至存儲單元中的源端和PMOS傳輸管(MP0)的源極，第三NMOS管(MN2)的柵極與第二NMOS管(MN1)的柵極互連，源極接地；

第四NMOS管(MN3)的漏端連接至第三NMOS管(MN2)和第二NMOS管(MN1)的柵極；其源極接地，其控制柵極接第二控制信號Vbias；

所述PMOS管(MP0)的控制柵極接第三控制信號Vbias1，源極連接高電壓PHV，漏極接到存儲單元陣列的源線；

如果所述存儲單元源線的電流未超過所述參考電流產生模塊產生的參考電流，第三NMOS管(MN2)截止；如果所述存儲單元的源線的電流大于所述參考電流產生模塊產生的參考電流，電流通過第三NMOS管(MN2)放電到地。

4.根據權利要求3所述的快閃存儲器限流裝置，其特征在于，在對所述存儲單元的源線進行限流操作時，

所述第一控制信號I_EN連接至電源電壓；所述第二控制信號Vbias連接至地電平；所述第三控制信號Vbias1連接至高電壓PHV，使PMOS傳輸管(MP0)截止。

5.根據權利要求3所述的快閃存儲器限流裝置，其特征在于，在未對所述存儲單元的源線進行限流操作時，

所述第一控制信號I_EN連接至地電壓；所述第二控制信號Vbias連接至電源電壓；所述第三控制信號Vbias1連接至地電平，使PMOS傳輸管(MP0)導通。

6.根據權利要求3所述的快閃存儲器限流裝置，其特征在于，

當進行擦除操作時，第四NMOS管(MN3)導通，第三NMOS管(MN2)截止，通過第一NMOS管(MN0)傳輸PHV電壓給存儲單元的源端；

當進行編程、讀取操作時，第四NMOS管(MN3)截止，第三NMOS管(MN2)導通，總漏電流超過預設值時，電流經過第三NMOS管(MN2)流向地。

7.一種快閃存儲器，其特征在于，包括存儲單元及權利要求1至6中任一項所述的限流裝置，

存儲單元含有源極，漏極和控制柵極；

每一條字線分別對應存儲單元中的一列，并且存儲單元的柵極分別對應于該存儲單元中的一列；

每一條位線分別對應存儲單元中的一行，并且存儲單元的漏極分別對應于該存儲單元中的一行；

每個存儲單元的源極共用一條源線，該源線與所述限流單元及傳輸管相連接。