[發明專利]一種SiGe HBT工藝中的PIS電容器及其制造方法

有效

• 申請號: 201110343136.9
• 申請日: 2011-11-03
• 公開（公告）號: CN103094361A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 劉冬華;段文婷;錢文生;胡君;石晶
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L29/94
• 分類號: H01L29/94;H01L21/02
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種SiGe?HBT工藝中的PIS電容器，其特征是，包括：硅襯底、淺溝槽隔離、P阱、P型重摻雜區、氧化層、鍺硅外延層、隔離側墻、接觸孔和金屬線，所述硅襯底上具有淺溝槽隔離和P阱，所述P阱上具有P型重摻雜區，所述淺溝槽隔離與P阱、P型重摻雜區相鄰，所述P型重摻雜區上具有氧化層，所述氧化層上具有鍺硅外延層，所述隔離側墻與氧化層、鍺硅外延層相鄰，所述P阱和鍺硅外延層通過接觸孔引出連接金屬線作為電容器的兩端。

2.如權利要求1所述的PIS電容器，其特征是：所述P阱中具有硼。

3.如權利要求1所述的PIS電容器，其特征是：所述P型重摻雜區中具有硼或氟化硼。

4.如權利要求1所述的PIS電容器，其特征是：所述多晶硅外延層中具有硼或氟化硼。

5.如權利要求1所述的PIS電容器，其特征是：所述氧化層厚度為5納米～30納米。

6.一種SiGe?HBT工藝中的PIS電容器的制作方法，其特征是，包括：

(1)在硅襯底上注入形成P阱；

(2)制作淺溝槽隔離；

(3)P型重摻雜注入形成P型重摻雜區；

(4)沉積氧化層；

(5)生長鍺硅外延層；

(6)刻蝕，隔離墻生成；

(7)將P阱和鍺硅外延層通過接觸孔引出連接金屬線。

7.如權利要求6所述的制作方法，其特征是：實施步驟(1)時，注入雜質為硼，能量為50Kev～500Kev，劑量為5e11cm^-2～5e13cm^-2。

8.如權利要求6所述的制作方法，其特征是：實施步驟(3)時，注入雜質為硼或者氟化硼，能量為5Kev～50Kev，劑量為5e14cm^-2～1e17cm^-2。

9.如權利要求6所述的制作方法，其特征是：實施步驟(5)時，注入雜質為硼或者氟化硼，能量條件為5Kev～100Kev、劑量為1e14cm^-2～1e17cm^-2。