[發明專利]一種電子產品殼體用奧氏體不銹鋼薄帶的制造方法

無效

• 申請號: 201110342002.5
• 申請日: 2011-11-02
• 公開（公告）號: CN102383060A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 濮曉芳
• 申請（專利權）人: 永鑫精密材料（無錫）有限公司
• 主分類號: C22C38/58
• 分類號: C22C38/58;C22C38/54;C22C33/04;C21D8/02
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 陳慧珍

技術領域

本發明涉及不銹鋼合金領域，特別涉及一種電子產品殼體用奧氏體不銹鋼薄帶的制造方法。

背景技術

隨著人們生活水平的提高，移動電話、PDA(個人數字助理，personal?digital?assistant)、MP3及掌上電腦等電子裝置大量進入人們的生活和工作，給人們帶來方便和樂趣。目前，人們對于上述各種電子裝置不但要求功能強大，而且希望其外觀美觀、表面質感良好，因此對電子裝置的殼體表面加工精度及粗糙度要求較高。

目前，制造電子裝置的殼體常用的是304類奧氏體不銹鋼，尤以冷軋板居多，因為冷軋板具有比較優的表面質量和拋光性能。而對于部分電子行業用鋼，冷軋板厚度無法滿足其實際需求，且成本較高，因此一般都采用熱軋板來取代冷軋板，而熱軋板表面為酸洗后表面，其粗糙度一般為2～5μm，需要拋光成鏡面后方能使用。

對于常規成分和工藝生產的奧氏體不銹鋼熱軋板，如304，其拋光后表面存在凹坑、針孔、易銹斑等缺陷，且拋光時間較長和材料損耗率較高。對于奧氏體類不銹鋼304，影響其拋光性能的兩個重要指標為材料本身的硬度和內在質量(如夾雜物等級、第二相析出)。對于常規工藝生產的304奧氏體不銹鋼，由于為了保證其優異的耐蝕性，一般需要熱軋或冷軋后進行固溶熱處理，這就造成了其低的硬度和耐磨性，而若不進行退火處理，就會由于碳化物析出而影響其耐蝕性和鏡面拋光性，因此提高硬度和改善材料內在性能是解決該類技術難題的方向。

目前提高熱軋奧氏體不銹鋼硬度的解決方案主要是通過對固溶態奧氏體不銹鋼進行大壓下量的室溫平整后直接應用，但冷變形易導致材料內部組織不均勻，硬度沿著截面方向分布不均、鋼板平直度較差和磁導率較高；此外制備該類材料加工流程較長，成本較高，鋼板厚度規格有限。

日本專利特開2001-247938A公開了一種電子器件用高強度、高平坦度奧氏體不銹鋼的制備方法，其公開的成分為：0.01％＜碳＜0.08％，0.1％＜硅＜2.0％，Mn＜3.0％，10.0％＜鉻＜20.0％，3.0％＜鎳＜12.0％，0.08％＜氮＜0.25％，0.01％＜鈮＜0.50％，且Md＝500-458(C+N)-9(Si+Mn)-13Cr-19Ni-65Nb大于0小于80，余量為鐵及不比可避免的雜質。熱軋后直接冷軋，壓下率為20％，然后在650℃～1000℃施加小于材料屈服強度0.2％以下的張力，并保持300s以下。該材料具有高強度、高硬度和低的殘余應力，但由于該類材料只解決了高硬度問題，而并沒有解決材料的拋光性問題，因為該合金通過Nb-N化合物的析出來強化，這些析出的顆粒會影響材料的鏡面拋光性。

公開號為CN101892437A的中國專利申請公開了一種鏡面拋光性良好的低磁奧氏體不銹鋼及其制造方法，并具體公開了其化學成分重量百分比為：Cr17.00～21.00％；Ni?8.00～10.00％；N?0.05～0.20％；C≤0.05％；Mn≤2.00％；Si?0.3～1.0％；P≤0.03％；S≤0.005％；Ca?0.0010-0.0050％；0≤0.0050％；Al?0.010～0.060％；余量為Fe和不可避免的雜質；并且，C+N＞0.10％。雖然其硬度大于240Hv，較低的夾雜物等級，即A+B+C+D≤2.5級，導磁率小于1.2Gs/Oe，具有良好的拋光性能。但經實踐發現某些指標達不到其聲稱的數值，并且，即使能達到其數值，對于某些要求較高的高端產品仍不能滿足使用需求。

發明內容

針對現有技術的不足，本發明的目的之一在于提供一種電子產品殼體用奧氏體不銹鋼薄帶的制造方法。

為實現上述目的，本發明采用的技術方案為：

一種電子產品殼體用奧氏體不銹鋼薄帶的制造方法，所述奧氏體不銹鋼以重量百分比計含有下列組份：C?0.06-0.08％，Cr?14.5-16.5％，Ni?11.0-13.0％，Mn?1.4-1.8％，Si?0.3-1.0％，Mo?0.5-0.8％，Nb?0.3-0.6％，B?0.001-0.005％，Al?0.010-0.060％，N?0.05-0.20％，P??≤0.03％，S??≤0.005％，0≤0.0050％；余量為Fe和不可避免的雜質；并且該不銹鋼的Ni-bal％范圍為0.5-1.5，所述的Ni-bal％采用下式計算：Ni-bal％＝Ni％+30(C％+N％+B％)+0.5Mn％-1.5(Cr％+1.5Si％+Mo％+0.5Nb％)+8.5％；所述制造方法包括如下步驟：