[發明專利]晶片承接設備和常壓化學氣相沉積裝置

有效

• 申請號: 201110341983.1
• 申請日: 2011-11-03
• 公開（公告）號: CN103094153A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 譚宇琦
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/205
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 汪洋;徐丁峰

技術領域

本發明涉及半導體工藝領域，尤其涉及一種用于常壓化學氣相沉積裝置的晶片承接設備和常壓化學氣相沉積裝置。

背景技術

在制造半導體器件時，通常會使用常壓化學氣相沉積（PACVD）技術來沉積多種材料層，包括絕緣材料層和金屬材料層。為了實現自動化生產，在沉積過程中，晶片都是通過傳送系統被裝載、傳送、卸載和歸位的。

以WJ型常壓化學氣相沉積裝置為例，晶片首先由操作人員從晶片盒中取出并被放置在裝載往返器上，裝載往返器將晶片傳送到位于常壓化學氣相沉積裝置一端的晶片入口；到達晶片入口的晶片由裝載機械手取出放置在傳送帶上，而裝載往返器則返回去裝載下一晶片；被放置在傳動帶上的晶片由傳動帶傳送經過沉積腔室來完成一系列的化學反應后，到達位于常壓化學氣相沉積裝置另一端的晶片出口；處理后的晶片由卸載機械手從晶片出口取下放置在卸載往返器上，卸載往返器將該晶片傳遞給返回往返器后去卸載下一晶片；返回往返器將該晶片從出口一端送回至入口一端，并由操作人員取下放回至晶片盒，如此即完成常壓化學氣相沉積反應的傳送過程。

然而，在上述包括裝載往返器、裝載機械手、傳送帶、卸載機械手、卸載往返器和返回往返器等的傳送系統由于不可避免的通訊故障或常壓化學氣相沉積裝置的其它故障，導致卸載機械手失靈，無法從傳送帶上取下已到達晶片出口的晶片。而此時即使操作人員停止向裝載往返器上放置晶片，該常壓化學氣相沉積裝置中還有十幾個晶片在傳送過程中，這些晶片仍然會被陸續地傳送至晶片出口。現有的常壓化學氣相沉積裝置是在晶片出口下方放置接片箱，以接收掉落的晶片。一方面，掉落很可能導致晶片破損；另一方面，接片箱中的晶片會互相疊加而出現“疊片”，而“疊片”會使晶片之間直接接觸并相對運動而導致劃傷。為了避免浪費和影響后續工序，需要先檢測缺陷以確認是否影響性能，只有性能未受影響的晶片才可以被送入下一道處理工序。由此可見，這樣的通訊故障往往導致成品率下降或生產效率降低。

所以，還需要一種用于常壓化學氣相沉積裝置的晶片承接設備和常壓化學氣相沉積裝置，以解決上述問題。

發明內容

在發明內容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發明的發明內容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。

為了解決現有技術中存在上述問題，本發明提供了一種用于常壓化學氣相沉積裝置的晶片承接設備，其特征在于，所述晶片承接設備包括：承接平臺，所述承接平臺用于承接從所述常壓化學氣相沉積裝置的晶片出口掉落的晶片；驅動器，所述驅動器驅動所述承接平臺在水平面內移動；控制器，所述控制器在所述常壓化學氣相沉積裝置出現故障時，控制所述驅動器驅動所述承接平臺移動，以承接掉落的晶片。

優選地，所述驅動器驅動所述承接平臺在水平面內沿平行于所述常壓化學氣相沉積裝置的晶片輸出方向的第一方向移動。

優選地，所述承接平臺在承接所述掉落的晶片時，所述驅動器驅動所述承接平臺沿所述第一方向移動第一距離。

優選地，所述第一距離大于或等于所述掉落的晶片的直徑。

優選地，所述第一距離大于或等于所述掉落的晶片的直徑的1.1倍且小于或等于所述掉落的晶片的直徑的1.2倍。

優選地，所述承接平臺在承接所述掉落的晶片時沿所述第一方向的移動速率與晶片的輸出速率相同。

優選地，所述驅動器驅動所述承接平臺沿所述第一方向移動所述第一距離之后，驅動所述承接平臺在水平面內沿與所述第一方向垂直的第二方向移動第二距離。

優選地，所述第二距離大于或等于所述掉落的晶片的直徑。

優選地，所述第二距離大于或等于所述掉落的晶片的直徑的1.1倍且小于或等于所述掉落的晶片的直徑的1.2倍。?

優選地，所述承接平臺位于所述晶片出口之下，且所述承接平臺的上表面與所述晶片出口的下端在豎直方向上的距離小于等于所述掉落的晶片的半徑。

優選地，所述晶片承接設備還包括信號發射器和信號接收器，所述信號發射器和所述信號接收器設置在所述晶片出口的附近，所述信號發射器向所述信號接收器連續發送信號，所述信號的通路與所述掉落的晶片的掉落路徑相交，以在所述信號接收器未能接收到信號時向所述控制器發送掉落警報。

本發明還提供一種常壓化學氣相沉積裝置，所述常壓化學氣相沉積裝置包括如上所述的晶片承接設備。