[發明專利]晶片承接設備和常壓化學氣相沉積裝置

有效

• 申請號: 201110341983.1
• 申請日: 2011-11-03
• 公開（公告）號: CN103094153A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 譚宇琦
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/205
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 汪洋;徐丁峰

1.一種用于常壓化學氣相沉積裝置的晶片承接設備，其特征在于，所述晶片承接設備包括：

承接平臺，所述承接平臺用于承接從所述常壓化學氣相沉積裝置的晶片出口掉落的晶片；

驅動器，所述驅動器驅動所述承接平臺在水平面內移動；

控制器，所述控制器在所述常壓化學氣相沉積裝置出現故障時，控制所述驅動器驅動所述承接平臺移動，以承接掉落的晶片。

2.如權利要求1所述的晶片承接設備，其特征在于，所述驅動器驅動所述承接平臺在水平面內沿平行于所述常壓化學氣相沉積裝置的晶片輸出方向的第一方向移動。

3.如權利要求2所述的晶片承接設備，其特征在于，所述承接平臺在承接所述掉落的晶片時，所述驅動器驅動所述承接平臺沿所述第一方向移動第一距離。

4.如權利要求3所述的晶片承接設備，其特征在于，所述第一距離大于或等于所述掉落的晶片的直徑。

5.如權利要求4所述的晶片承接設備，其特征在于，所述第一距離大于或等于所述掉落的晶片的直徑的1.1倍且小于或等于所述掉落的晶片的直徑的1.2倍。

6.如權利要求2所述的晶片承接設備，其特征在于，所述承接平臺在承接所述掉落的晶片時沿所述第一方向的移動速率與晶片的輸出速率相同。

7.如權利要求3所述的晶片承接設備，其特征在于，所述驅動器驅動所述承接平臺沿所述第一方向移動所述第一距離之后，驅動所述承接平臺在水平面內沿與所述第一方向垂直的第二方向移動第二距離。

8.如權利要求7所述的晶片承接設備，其特征在于，所述第二距離大于或等于所述掉落的晶片的直徑。

9.如權利要求9所述的晶片承接設備，其特征在于，所述第二距離大于或等于所述掉落的晶片的直徑的1.1倍且小于或等于所述掉落的晶片的直徑的1.2倍。

10.如權利要求1所述的晶片承接設備，其特征在于，所述承接平臺位于所述晶片出口之下，且所述承接平臺的上表面與所述晶片出口的下端在豎直方向上的距離小于等于所述掉落的晶片的半徑。

11.如權利要求1所述的晶片承接設備，其特征在于，所述晶片承接設備還包括信號發射器和信號接收器，所述信號發射器和所述信號接收器設置在所述晶片出口的附近，所述信號發射器向所述信號接收器連續發送信號，所述信號的通路與所述掉落的晶片的掉落路徑相交，以在所述信號接收器未能接收到信號時向所述控制器發送掉落警報。

12.一種常壓化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述常壓化學氣相沉積裝置包括如權利要求1-11中任一項所述的晶片承接設備。