[發明專利]漏極飽和電流仿真電路

有效

• 申請號: 201110341958.3
• 申請日: 2011-11-02
• 公開（公告）號: CN102436526A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 吉遠倩
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本發明涉及漏極飽和電流仿真電路，特別是涉及一種利用單一電壓源對PMOS管與NMOS管漏極飽和電流同時仿真的漏極飽和電流仿真電路。

背景技術

QA(QUALITYASSURANCE，品質保證)是集成電路設計與制造中重要的一環。而在集成電路設計中，晶體管是使用較多的器件之一，因此對于晶體管有關參數的仿真檢查是QA的一個重要手段。由于飽和電流是晶體管的最基本的參數，經常需要知道在改變其他參數后該量的變化情況，因此QA中經常需要對晶體管的飽和電流進行仿真。

圖1現有技術中一種漏極飽和電流(Idsat)仿真的等效電路圖。其中，圖1以NMOS晶體管為例，NMOS晶體管N1源極和襯底接地，柵極接偏置電壓(該偏置電壓也可以為正電源Vdd)，漏極接正電源Vdd，此仿真電路存在的問題是：同一時間只能對NMOS晶體管或PMOS晶體管的漏極飽和電流Idsat進行仿真，如需要從N溝道(NMOS)換成P溝道(PMOS)的仿真，則需要改變偏置條件和模型名。更具體地說，圖2為PMOS晶體管漏極飽和電流仿真的等效電路圖，PMOS晶體管P1源極接Vdd，柵極接地或低偏置電壓，漏極接負電源或地?？梢姰攲崿F從NMOS管漏極飽和電流仿真換成PMOS管漏極飽和電流仿真時，需要將模型從NCH換成PCH，偏置電壓需要重新設置，網表要重新連接，相當麻煩。

綜上所述，可知先前技術的漏極飽和電流仿真電路存在由于同一時間只能對NMOS管或PMOS管漏極飽和電流仿真導致變換仿真時需重新改變偏置條件及模型名稱的問題，因此，實有必要提出改進的技術手段，來解決此一問題。

發明內容

為克服上述現有技術的漏極飽和電流仿真電路存在由于同一時間只能對NMOS管或PMOS管漏極飽和電流仿真導致變換仿真時需重新改變偏置條件及模型名稱的問題，本發明的主要目的在于提供一種漏極飽和電流仿真電路，其通過在同一仿真電路中同時對PMOS管及NMOS管漏極飽和電流進行仿真，克服了現有技術中重新改變偏置條件及模型名稱的問題，簡化了仿真過程。

為達上述及其它目的，本發明一種漏極飽和電流仿真電路，至少包括：

偏置電壓產生電路，用以產生偏置電壓；

一NMOS晶體管，其源極及襯底接地，柵極與漏極與該偏置電壓產生電路相連；以及

一PMOS晶體管，其漏極與柵極接地，源極及襯底與該偏置電壓產生電路相連。

進一步地，該偏置電壓產生電路為一電壓源。

與現有技術相比，本發明一種漏極飽和電流仿真電路通過在同一仿真電路中同時對PMOS管及NMOS管漏極飽和電流進行仿真，克服了現有技術中對PMOS管及NMOS管漏極飽和電流進行仿真需重新改變偏置條件及模型名稱的問題，簡化了仿真過程。

附圖說明

圖1現有技術中一種NMOS管漏極飽和電流(Idsat)仿真的等效電路圖；

圖2現有技術中一種PMOS管漏極飽和電流(Idsat)仿真的等效電路圖；

圖3為本發明一種漏極飽和電流仿真電路之較佳實施例的等效電路圖。

具體實施方式

以下通過特定的具體實例并結合附圖說明本發明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭示的內容輕易地了解本發明的其它優點與功效。本發明亦可通過其它不同的具體實例加以施行或應用，本說明書中的各項細節亦可基于不同觀點與應用，在不背離本發明的精神下進行各種修飾與變更。

圖3為本發明一種漏極飽和電流仿真電路之較佳實施例的等效電路圖。如圖3所示，本發明之漏極飽和電流仿真電路可用于集成電路設計中以保證電路的品質，其至少包括：偏置電壓產生電路301、NMOS晶體管N1及PMOS晶體管P1，其中NMOS晶體管N1源極及襯底接地，柵極與漏極接偏置電壓產生電路301，PMOS晶體管P1漏極與柵極接地，源極及襯底接偏置電壓產生電路301，偏置電壓產生電路301可以為電源電壓Vdd。

根據圖3，可見本發明通過在同一仿真電路中利用單一電壓源Vdd同時對PMOS管及NMOS管漏極飽和電流(Idsat1及Idsat2)進行仿真，克服了現有技術中對PMOS管及NMOS管漏極飽和電流進行仿真需重新改變偏置條件及模型名稱的問題，簡化了仿真過程。

上述實施例僅例示性說明本發明的原理及其功效，而非用于限制本發明。任何本領域技術人員均可在不違背本發明的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾與改變。因此，本發明的權利保護范圍，應如權利要求書所列。