[發(fā)明專利]漏極飽和電流仿真電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110341958.3 | 申請日： | 2011-11-02 |
| 公開（公告）號： | CN102436526A | 公開（公告）日： | 2012-05-02 |
| 發(fā)明（設計）人： | 吉遠倩 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 飽和 電流 仿真 電路 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種漏極飽和電流仿真電路，至少包括：
偏置電壓產(chǎn)生電路，用以產(chǎn)生偏置電壓；
一NMOS晶體管，其源極及襯底接地，柵極與漏極與該偏置電壓產(chǎn)生電路相連；以及
一PMOS晶體管，其漏極與柵極接地，源極及襯底與該偏置電壓產(chǎn)生電路相連。
2.如權(quán)利要求1所述的漏極飽和電流仿真電路，其特征在于：該偏置電壓產(chǎn)生電路為一電壓源。
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