[發(fā)明專利]降低HEMT器件柵槽刻蝕損傷的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110340567.X
• 申請(qǐng)日: 2011-11-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102339748A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃俊;魏珂;劉果果;樊捷;劉新宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): H01L21/311
• 分類號(hào): H01L21/311;H01L21/335
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長(zhǎng)明

1.一種降低HEMT器件柵槽刻蝕損傷的方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括緩沖層、位于所述緩沖層表面上的外延層、位于所述外延層表面上的帽層以及位于所述帽層表面上的鈍化層；

采用鈍化層刻蝕粒子刻蝕掉柵槽上方預(yù)設(shè)厚度的鈍化層材料，以在所述鈍化層表面內(nèi)形成柵槽圖形，所述預(yù)設(shè)厚度小于鈍化層的厚度；

采用帽層刻蝕粒子刻蝕上方剩余厚度的鈍化層材料以及柵槽區(qū)域的帽層材料，以在所述鈍化層和所述帽層表面內(nèi)形成HEMT器件的柵槽。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)厚度為所述鈍化層厚度的85％-95％。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)厚度為所述鈍化層厚度的90％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述鈍化層材料為氮化硅，所述鈍化層刻蝕粒子為F基等離子體。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述帽層材料為GaN，所述帽層刻蝕粒子為Cl基等離子體。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述Cl基等離子體對(duì)氮化硅和氮化鎵的刻蝕選擇比為1∶10。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述刻蝕掉柵槽上方預(yù)設(shè)厚度的鈍化層材料的過(guò)程為：

在所述鈍化層表面上形成電子束膠層，采用電子束光刻工藝在所述電子束膠層表面內(nèi)形成柵槽圖形；

以具有柵槽圖形的電子束膠層為掩膜，刻蝕掉未被所述電子束膠層覆蓋的預(yù)設(shè)厚度的鈍化層材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，刻蝕所述鈍化層和所述帽層的方法為：采用非諧振型電感耦合等離子體ICP刻蝕工藝對(duì)所述鈍化層和所述帽層進(jìn)行刻蝕。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述緩沖層材料為GaN。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述外延層材料為AlGaN。