[發明專利]用選擇性外延制作底部厚柵氧化層溝槽MOS的工藝方法

有效

• 申請號: 201110340143.3
• 申請日: 2011-11-01
• 公開（公告）號: CN103094074A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 金勤海;楊川;許凱強
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L21/28
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 張驥

1.一種用選擇性外延制作底部厚柵氧化層溝槽MOS的工藝方法，其特征在于，包括以下步驟：

第一步，在重摻雜硅襯底上生長外延層，形成第一輕摻雜外延層；

第二步，在第一輕摻雜外延層上生長二氧化硅；

第三步，采用光刻工藝，在二氧化硅上涂膠、光刻，形成光刻膠圖形；

第四步，刻蝕，將未被光刻膠擋住的二氧化硅刻蝕干凈，露出光刻膠以外的第一輕摻雜外延層；然后去除光刻膠；

第五步，選擇性生長加橫向生長第二外延層；先在露出的第一輕摻雜外延層的表面生長第二輕摻雜外延層；當第二輕摻雜外延層的厚度超過二氧化硅的厚度時，使第二輕摻雜外延層在向上生長的同時橫向生長，直至合攏并完全覆蓋二氧化硅；

第六步，通過涂膠、光刻、干法刻蝕，將二氧化硅上方的外延層刻蝕干凈，露出二氧化硅，形成具有底部厚柵氧化層的溝槽；

第七步，采用溝槽MOS工藝，在溝槽內形成柵。

2.根據權利要求1所述的用選擇性外延制作底部厚柵氧化層溝槽MOS的工藝方法，其特征在于：所述第五步之后第六步之前，通過化學機械研磨使得第二輕摻雜外延層的上表面平坦化，然后在第二輕摻雜外延層的表面生長第三輕摻雜外延層。

3.根據權利要求1或2所述的用選擇性外延制作底部厚柵氧化層溝槽MOS的工藝方法，其特征在于，所述第二步所生長的二氧化硅的厚度等于或者大于后續要形成的溝槽底部厚柵氧化層。