[發(fā)明專利]一種軸向二極管焊接酸洗兩用工裝無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110339710.3 | 申請(qǐng)日: | 2011-11-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102339776A | 公開(公告)日: | 2012-02-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王志敏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 如皋市大昌電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/50 |
| 代理公司: | 北京一格知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 趙紹增 |
| 地址: | 226500 江蘇省南通市如*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 軸向 二極管 焊接 酸洗 兩用 工裝 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種二極管制造工裝,特別涉及一種軸向二極管焊接酸洗兩用工裝。
背景技術(shù)
二極管制造工藝流程主要包括焊接、酸洗、模壓、印字、機(jī)包、外檢和包裝等數(shù)道工序。在依次進(jìn)行焊接和酸洗時(shí)工序時(shí),分別應(yīng)用到兩種工裝,分別是石墨模具和酸洗盤,石墨模具由結(jié)構(gòu)相同的上模和下模組成,上、下模的表面均勻設(shè)置有若干容納引線和芯片的型腔,酸洗盤表面設(shè)有酸洗槽,酸洗槽底均勻分布有若干容納引線的型腔。
采用上述結(jié)構(gòu)的石墨模具和酸洗盤的缺點(diǎn)是:焊接完成后,需要拿掉上模,將下模上的二極管半成品轉(zhuǎn)換至酸洗盤內(nèi)方可進(jìn)行酸洗,轉(zhuǎn)換效率低,且易出現(xiàn)引線折彎等問題,造成半成品的報(bào)廢。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種軸向二極管焊接酸洗兩用工裝,可同時(shí)適用于焊接和酸洗工序,無需進(jìn)行工裝的轉(zhuǎn)換,提高工作效率。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的技術(shù)方案為:一種軸向二極管焊接酸洗兩用工裝,包括上模和下模,其創(chuàng)新點(diǎn)在于:所述下模上端面均勻設(shè)置有若干容納引線和芯片、焊片的型腔;所述上模下端面設(shè)有酸洗槽,所述酸洗槽的槽底均勻設(shè)置有與下模的型腔對(duì)應(yīng)且可容納引線的型腔。
進(jìn)一步的,所述下模的上端面四周設(shè)置有定位銷,所述上模的下端面四周設(shè)置有與定位銷對(duì)應(yīng)的定位孔。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:進(jìn)行焊接時(shí),首先需要將焊片、芯片放置到裝填好引線的下模內(nèi),將上、下模合模后通過隧道式烘箱高溫焊接成型;完成焊接后,整體翻轉(zhuǎn)上、下模,使得上模在下,下模在上,即可取下下模進(jìn)行酸洗,減少轉(zhuǎn)換工序,大大提高了生產(chǎn)效率,同時(shí)避免轉(zhuǎn)換時(shí)造成引線的損傷。
附圖說明
圖1為本發(fā)明軸向二極管焊接酸洗兩用工裝的下模俯視圖。
圖2為本發(fā)明軸向二極管焊接酸洗兩用工裝的下模剖視圖。
圖3為圖2中局部放大圖A。
圖4為本發(fā)明軸向二極管焊接酸洗兩用工裝的上模俯視圖。
圖5為本發(fā)明軸向二極管焊接酸洗兩用工裝的上模剖視圖。
圖6為圖5中局部放大圖B。
圖7為本發(fā)明軸向二極管焊接酸洗兩用工裝上、下模合模示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖1、2、3所示,下模1上端面均勻設(shè)置有若干可容納引線和芯片、焊片的型腔11,在下模1上端面的四周設(shè)置有定位銷12。
如圖4、5、6所示,上模2下端面設(shè)有酸洗槽23,酸洗槽23的槽底均勻設(shè)置有與下模的型腔11對(duì)應(yīng)且可容納引線的型腔21。在上模的下端面四周設(shè)置有與定位銷12對(duì)應(yīng)的定位孔22。
進(jìn)行焊接時(shí),將焊片、芯片放置到裝填好引線的下模1內(nèi),上模2、下模1通過定位孔22和定位銷12實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確合模,合模后通過隧道式烘箱高溫焊接成型;完成焊接后,整體翻轉(zhuǎn)上模2、下模1,使得上模2在下,下模1在上,取下下模1進(jìn)行酸洗,減少轉(zhuǎn)換工序,大大提高了生產(chǎn)效率,同時(shí)避免轉(zhuǎn)換時(shí)造成引線的損傷。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





