[發明專利]內埋元件的多層基板的制造方法

有效

• 申請號: 201110338676.8
• 申請日: 2011-10-31
• 公開（公告）號: CN103096646A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 楊偉雄;石漢青;范字遠;馮郭龍
• 申請（專利權）人: 健鼎（無錫）電子有限公司
• 主分類號: H05K3/46
• 分類號: H05K3/46;H05K3/30
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種內埋元件的多層基板的制造方法，包含：

(a)提供一第一基板，該第一基板具有至少一對位標記，且包含：

第一絕緣層；

第一金屬層，具有至少一接觸窗；以及

第二金屬層，具有至少一開口；

其中該第一金屬層及該第二金屬層位于該第一絕緣層的相對兩表面，該接觸窗大致對準該開口，且該開口的最大寬度大于或等于該接觸窗的最大寬度；

(b)根據該對位標記固設一元件于該第一金屬層上，該元件包含至少一導電端子，且該導電端子位于該接觸窗上方；

(c)壓合一第二基板于該第一絕緣層上方，以覆蓋該元件以及該第一金屬層；

(d)根據該對位標記，在該開口中形成一開孔貫穿該第一絕緣層，使該開口經由該開孔而連通該接觸窗，而露出該導電端子；以及

(e)形成一第一電路層于該第二金屬層上以及該開孔中，使該第一電路層電性連接該導電端子。

2.如權利要求1所述的制造方法，其中該至少一對位標記包含第一對位標記以及第二對位標記，且其中該第一金屬層的一部分形成該第一對位標記，該第二金屬層的一部分形成該第二對位標記，且該第一對位標記對準該第二對位標記。

3.如權利要求1所述的制造方法，其中步驟(a)包含使用一光刻蝕刻制作工藝，以形成該對位標記、該接觸窗及該開口的其中至少一者。

4.如權利要求1所述的制造方法，其中步驟(a)包含使用一紫外光激光，以形成該對位標記、該接觸窗及該開口的其中至少一者。

5.如權利要求1所述的制造方法，其中該對位標記為貫穿該第一基板的對位孔。

6.如權利要求5所述的制造方法，其中步驟(a)包含使用一紫外光激光，以形成該對位孔。

7.如權利要求1所述的制造方法，其中步驟(d)包含使用一二氧化碳激光以形成該開孔。

8.如權利要求1所述的制造方法，其中步驟(b)包含：

形成一接著劑層于該第一金屬層上及該接觸窗中；以及

將該元件粘著于該接著劑層上。

9.如權利要求8所述的制造方法，其中步驟(d)包含貫穿該接觸窗中的該接著劑層。

10.如權利要求1所述的制造方法，其中在步驟(c)后，還包含形成一通孔貫穿該第二基板及該第一基板。

11.如權利要求10所述的制造方法，還包含形成一導電層于該通孔的一側壁。

12.如權利要求11所述的制造方法，還包含形成一第二電路層于該第二基板的外側表面，使該第二電路層經由該導電層及該第一電路層電性連接該導電端子。

13.一種內埋元件的多層基板的制造方法，包含：

(a)提供一第一基板，該第一基板包含第一金屬層、第二金屬層及第一絕緣層，該第一金屬層及該第二金屬層位于該第一絕緣層的相對兩表面；

(b)形成至少一對位標記于該第一基板上，至少一接觸窗于該第一金屬層上，至少一開口于該第二金屬層上，該接觸窗大致對準該開口；

(c)根據該對位標記固設一元件于該第一金屬層上，該元件包含至少一導電端子，且該導電端子位于該接觸窗上方；

(d)壓合一第二基板于該第一絕緣層上，以覆蓋該元件以及該第一金屬層；

(e)形成一通孔貫穿該第二基板及該第一基板；

(f)根據該對位標記形成一開孔貫穿該第一絕緣層，以露出該導電端子之一部分；以及

(g)于該第一絕緣層的一外側表面、該第二基板的一外側表面以及該通孔中分別形成一第一電路層、一第二電路層以及一導電層，使該導電端子經該第一電路層及該導電層電性連接該第二電路層。