[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201110337700.6
• 申請日: 2011-10-21
• 公開（公告）號: CN102456716A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: 大西泰彥
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/36;H01L29/78
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 李玲

1.一種半導體器件，其特征在于

沿著垂直于具有高雜質濃度的第一導電型半導體襯底的一個主面的方向上沉積的柱狀或層狀的第一導電型半導體區和第二導電型半導體區在沿著所述主面的方向上形成交替相鄰的平行pn層作為漂移層，其中

所述平行pn層配置成在“導通”狀態中使電流流動而在“截止”狀態中維持擊穿電壓，且有電流流動的有源區和包圍所述有源區并維持擊穿電壓的外圍區包括所述平行pn層，

所述器件包括：

平行pn層，其中所述平行pn層的所述第二導電型半導體區具有雜質濃度從所述pn層的表面向所述半導體襯底側減小的雜質濃度分布；

第一導電型表面區，其置于所述外圍區中的所述平行pn層上；

兩個或更多個第二導電型保護環，其相互分隔開地置于所述第一導電型表面區上；以及

導電場板，其置于所述保護環的內圓周側和外圓周側的每一側上，并電連接至所述保護環中的每一個環的所述表面。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述外圍區中的所述平行pn層的所述pn層間距寬度比所述有源區中的所述平行pn層的所述pn層間距寬度重復地小。

3.如權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，

置于所述外圍區中的所述平行pn層上的所述第一導電型表面區的厚度是所述有源區中的所述平行pn層厚度的1/3或更小。

4.如權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，

置于所述外圍區中的所述平行pn層上的所述第一導電型表面區的雜質濃度為從2×10¹⁴/cm³至8×10¹⁴/cm³范圍中的任一雜質濃度。