[發明專利]電磁屏蔽方法及制品

無效

• 申請號: 201110337315.1
• 申請日: 2011-10-31
• 公開（公告）號: CN103096699A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 張新倍;蔣煥梧;陳正士;徐華陽
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00;B32B9/04;B32B15/00;C23C14/20;C23C14/16;C23C14/35
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1.一種制品，包括基體，其特征在于：該制品還包括依次形成于該基體上的一絕緣層、導電層及防護層，該絕緣層為含氟二氧化硅層、二氧化硅層或氟氧化硅層，該導電層包括依次形成于所述絕緣層上的鉻層及銅層，所述防護層為鉻層、不銹鋼層或鎳鉻合金層。

2.如權利要求1所述的制品，其特征在于：該絕緣層通過化學氣相沉積的方式形成。

3.如權利要求1所述的制品，其特征在于：該絕緣層的厚度為2~6μm。

4.如權利要求1所述的制品，其特征在于：所述鉻層的厚度為100~200nm。

5.如權利要求1所述的制品，其特征在于：所述銅層的厚度為300~500nm。

6.如權利要求1所述的制品，其特征在于：所述防護層的厚度為200~300nm。

7.如權利要求1所述的制品，其特征在于：該基體為印刷電路板或柔性線路板。

8.如權利要求7所述的制品，其特征在于：該基體上形成有至少一電子元件，所述絕緣層及所述導電層沉積在所述電子元件的表面及基體的表面，以使電子元件被封閉于所述絕緣層內。

9.一種電磁屏蔽方法，其包括如下步驟：

提供基體；

采用化學氣相沉積法，在反應溫度為20~50℃下，于基體上形成一絕緣層，該絕緣層為含氟二氧化硅層、二氧化硅層或氟氧化硅層；

采用真空鍍膜法，在室溫下，以鉻靶為靶材，于該絕緣層上形成一鉻層；

采用真空鍍膜法，在室溫下，以銅靶為靶材，于該鉻層上形成一銅層；

采用真空鍍膜法，在室溫下，以鉻靶、不銹鋼靶及鎳鉻合金靶中的任意一種為靶材，于該銅層上形成一防護層，所述防護層為鉻層、不銹鋼層或鎳鉻合金層。

10.如權利要求9所述的電磁屏蔽方法，其特征在于：當所述絕緣層為含氟二氧化硅層時，形成所述絕緣層的方法為：提供一減壓化學氣相沉積裝置，該減壓化學氣相沉積裝置包括一沉積室及鼓泡器，將基體置于所述沉積室內，以氟鉻三乙氧基硅烷和純水為反應物，所述反應物通過所述鼓泡器氣化后進入所述沉積室；設置反應室的壓力為600~800Pa；以氮氣為工作氣體，氮氣的流量為50~80sscm，沉積室的溫度為20~50℃，沉積時間80~120min；其中，氟鉻三乙氧基硅烷與純水的質量比為3:1~2:1。

11.如權利要求9所述的電磁屏蔽方法，其特征在于：形成鉻層的方法為：采用磁控濺射法，以氬氣為反應氣體，設置氬氣的流量為100sccm~180sscm，施加于基體的偏壓為-20~-50V，設置鉻靶材的功率為5~10kW；鍍膜時間為5~10min。

12.如權利要求9所述的電磁屏蔽方法，其特征在于：形成銅層的方法為：采用磁控濺射法，以氬氣為反應氣體，設置氬氣的流量為100sccm~180sscm，施加于基體的偏壓為-20~-50V，設置銅靶材的功率為5~10kW；鍍膜時間為10~15min。

13.如權利要求9所述的電磁屏蔽方法，其特征在于：形成防護層的方法為：采用磁控濺射法，以氬氣為反應氣體，設置氬氣的流量為100sccm~180sscm，施加于基體的偏壓為-20~-50V，設置鉻靶、不銹鋼靶及鎳鉻合金靶材的功率為5~10kW；鍍膜時間為10~15min。