[發明專利]半導體二極管

無效

• 申請號: 201110336807.9
• 申請日: 2011-10-31
• 公開（公告）號: CN102842621A
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發明（設計）人: 楊明宗;李東興
• 申請（專利權）人: 聯發科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/45;H01L29/06
• 代理公司: 北京萬慧達知識產權代理有限公司 11111
• 代理人: 于淼;張一軍

技術領域

本發明有關于一種半導體裝置，且特別是有關于一種可減少功率損失的半導體二極管。

背景技術

半導體二極管為熟知的電子組件，其限制了電荷載子的流動方向。半導體二極管容許電流往預定的方向流動，且實質阻擋通往相反于預定的方向的電流。在沒有二極管的情形下，大部分的電子裝置無法進行操作。

大部分慣用的半導體二極管為p-n接面二極管，其由半導體材料所構成，例如硅、砷化鎵(GaAs)或碳化硅(SiC)，其內具有雜質元素，用以調整其操作特性。p-n接面二極管廣泛使用于低電壓開關、電源供應器、電源轉換器及相關應用。在現有技術中，當在陰極(n側)側施加正電壓、在陽極(p-側)側施加負電壓時，上述p-n接面二極管會阻擋電流直至陰極電壓高到足以發生崩潰。在反向偏壓(reverse?bias)的操作模式中，從陰極至陽極的電流非常低，且稱其為漏電流。當在陽極側施加正電壓、在陰極側施加負電壓時，稱此操作模式為正向偏壓(forward?bias)(二極管的跨電壓稱為正向偏壓電壓)。從陽極至陰極的電流隨著正向偏壓電壓的增加而增加。因電流上升的作用，當達到閾值電壓(threshold?voltage)(或稱為導通電壓(turn?on?voltage))時，二極管將切換至導通狀態(ON?state)。而超過導通電壓時，電流將會明顯增加。

通常二極管所需的導通電壓約為0.7伏特左右，且二極管的功率損失與正向偏壓電壓成正比。在許多家用電子裝置中，例如電視機或微波爐等等，使用家用電壓來供電，因此可忍受(tolerate)電路中二極管的功率損失。然而，對于使用電池供電的電子裝置來說，例如筆記本電腦、手機或數字相機等等則無法忍受上述功率損失，其原因在于上述功率損失會直接縮短電池壽命，進而影響到電子裝置的可用性(usability)。由于半導體裝置的尺寸持續的縮小而集成電路中的裝置密度持續的增加，因此集成電路中功率損失的問題變得更為嚴重。

因此，有必要尋求一種新的半導體二極管設計，其能夠改善上述的問題。

發明內容

由此，本發明的目的為提供半導體二極管，以有效的減輕半導體二極管的功率損失，從而改善集成電路中功率損失的問題。

本發明提供的半導體二極管，包括：半導體基底，其具有第一導電型的輕摻雜區；第一重摻雜區，位于所述輕摻雜區內，且具有與所述第一導電型相反的第二導電型；第二重摻雜區，位于所述輕摻雜區內，且與所述第一重摻雜區直接接觸，其具有所述第一導電型；第一金屬硅化物層，位于所述半導體基底上，且與所述第一重摻雜區直接接觸；第二金屬硅化物層，位于所述半導體基底上，且與所述第二重摻雜區直接接觸，其中所述第二金屬硅化物層與所述第一金屬硅化物層隔開。

本發明所提出的半導體二極管，可降低半導體二極管的重摻雜區的接觸電阻，進而能夠有效的減少半導體二極管的功率損失，從而改善集成電路中功率損失的問題。

對于已經閱讀后續由各附圖及內容所顯示的較佳實施方式的本領域的技術人員來說，本發明的目的是明顯的。

附圖說明

圖1A為根據本發明一實施方式的半導體二極管的平面示意圖；

圖1B為沿圖1A中1B-1B’線的剖面示意圖。

具體實施方式

在通篇說明書及權利要求當中使用了某些詞匯來指稱特定的組件。本領域的技術人員應可理解，電子設備制造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個組件。本說明書及權利要求并不以名稱的差異來作為區分組件的方式，而是以組件在功能上的差異來作為區分的準則。在通篇說明書及權利要求當中所提及的“包括”為開放式的用語，故應解釋成“包括但不限定于”。