[發(fā)明專利]半導(dǎo)體二極管

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110336807.9
• 申請(qǐng)日: 2011-10-31
• 公開（公告）號(hào): CN102842621A
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊明宗;李東興
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)發(fā)科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/861
• 分類號(hào): H01L29/861;H01L29/45;H01L29/06
• 代理公司: 北京萬(wàn)慧達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11111
• 代理人: 于淼;張一軍

1.一種半導(dǎo)體二極管，包括：

半導(dǎo)體基底，具有第一導(dǎo)電型的輕摻雜區(qū)；

第一重?fù)诫s區(qū)，位于所述輕摻雜區(qū)內(nèi)，且具有與所述第一導(dǎo)電型相反的第二導(dǎo)電型；

第二重?fù)诫s區(qū)，位于所述輕摻雜區(qū)內(nèi)，且與所述第一重?fù)诫s區(qū)直接接觸，其具有所述第一導(dǎo)電型；

第一金屬硅化物層，位于所述半導(dǎo)體基底上，且與所述第一重?fù)诫s區(qū)直接接觸；

第二金屬硅化物層，位于所述半導(dǎo)體基底上，且與所述第二重?fù)诫s區(qū)直接接觸，其中所述第二金屬硅化物層與所述第一金屬硅化物層隔開。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體二極管，其特征在于，所述半導(dǎo)體二極管還包括隔離結(jié)構(gòu)，位于所述半導(dǎo)體基底內(nèi)，且環(huán)繞所述第一重?fù)诫s區(qū)及所述第二重?fù)诫s區(qū)。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體二極管，其特征在于，所述隔離結(jié)構(gòu)為淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體二極管，其特征在于，所述半導(dǎo)體二極管還包括：

第一金屬接觸窗，與所述第一金屬硅化物層直接接觸；以及

第二金屬接觸窗，與所述第二金屬硅化物層直接接觸。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體二極管，其特征在于，所述第一金屬接觸窗及所述第二金屬接觸窗包括金屬鎢。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體二極管，其特征在于，所述第一金屬硅化物層及所述第二金屬硅化物層包括鎳硅化物。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體二極管，其特征在于，所述第一導(dǎo)電型為n型，且所述第二導(dǎo)電型為p型。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體二極管，其特征在于，其中所述第一導(dǎo)電型為p型，且所述第二導(dǎo)電型為n型。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體二極管，其特征在于，所述半導(dǎo)體二極管還包括：

內(nèi)層介電層，位于半導(dǎo)體基底上；以及

第一金屬接觸窗與第二金屬接觸窗，設(shè)置于所述內(nèi)層介電層內(nèi)，且分別與所述第一金屬硅化物層及所述第二金屬硅化物層直接接觸。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體二極管，其特征在于，所述內(nèi)層介電層包括氧化物、氮化物、氮氧化物或其組合或低介電材料。