[發明專利]半導體器件制作方法

無效

• 申請號: 201110335723.3
• 申請日: 2011-10-29
• 公開（公告）號: CN102354683A
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發明（設計）人: 毛智彪;胡友存
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/321
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種半導體器件的制作方法，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底包括冗余金屬區、輔助圖形冗余金屬區和非冗余金屬區；

在所述半導體襯底上形成介質層和硬掩膜層；

去除所述非冗余金屬區上的硬掩膜層；

刻蝕所述介質層和剩余的硬掩膜層以形成冗余金屬槽、輔助圖形冗余金屬槽和金屬導線槽，所述輔助圖形冗余金屬槽和冗余金屬槽的深度小于所述金屬導線槽的深度；

在所述冗余金屬槽、輔助圖形冗余金屬槽和金屬導線槽內以及介質層上沉積金屬層；

進行化學機械研磨工藝，直至去除所述冗余金屬槽和輔助圖形冗余金屬槽內部分或全部的金屬層。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，利用光刻和刻蝕的方式去除所述非冗余金屬區上的硬掩膜層。

3.如權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，刻蝕所述介質層和剩余的硬掩膜層以形成冗余金屬槽和金屬導線槽的步驟包括：

同時刻蝕所述冗余金屬區和非冗余金屬區上的介質層和剩余的硬掩膜層，以同時形成冗余金屬槽、輔助圖形冗余金屬槽和金屬導線槽。

4.如權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，刻蝕所述介質層和剩余的硬掩膜層以形成冗余金屬槽、輔助圖形冗余金屬槽和金屬導線槽的步驟包括：

刻蝕所述非冗余金屬區上的介質層形成通孔；

同時刻蝕所述冗余金屬區和非冗余金屬區上的介質層和剩余的硬掩膜層，以同時形成冗余金屬槽、輔助圖形冗余金屬槽和金屬導線槽。

5.如權利要求1至4中任意一項所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜層的材質是碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、鈦、氮化鈦、氧化鈦、鉭、氮化鉭、氧化鉭中的一種或其組合。

6.一種半導體器件的制作方法，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底包括冗余金屬區、輔助圖形冗余金屬區和非冗余金屬區；

在所述半導體襯底上形成介質層和硬掩膜層；

去除所述非冗余金屬區上部分厚度的硬掩膜層；

刻蝕剩余的硬掩膜層，形成暴露所述介質層的硬掩膜金屬導線槽，并形成深度小于所述硬掩膜金屬導線槽的硬掩膜輔助圖形冗余槽和硬掩膜冗余槽；

繼續刻蝕所述介質層和剩余的硬掩膜層，以形成冗余金屬槽、輔助圖形冗余金屬槽和金屬導線槽，所述輔助圖形冗余金屬槽和冗余金屬槽的深度小于所述金屬導線槽的深度；

在所述冗余金屬槽、輔助圖形冗余金屬槽和金屬導線槽內以及介質層上沉積金屬層；

進行化學機械研磨工藝，直至去除所述冗余金屬槽和輔助圖形冗余金屬槽內部分或全部的金屬層。

7.如權利要求6所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜層的材質是碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、鈦、氮化鈦、氧化鈦、鉭、氮化鉭、氧化鉭中的一種或其組合。