[發明專利]軋制銅箔

有效

• 申請號: 201110333742.2
• 申請日: 2011-10-28
• 公開（公告）號: CN102573287A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 千葉喜寬;中室嘉一郎;大久保光浩;鮫島大輔
• 申請（專利權）人: JX日礦日石金屬株式會社
• 主分類號: H05K1/09
• 分類號: H05K1/09
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 蔡曉菡;高旭軼

技術領域

本發明涉及適用于要求彎曲性的FPC的軋制銅箔。

背景技術

彎曲用FPC(柔性印刷電路板)中使用的銅箔要求高的彎曲性。作為使銅箔具有彎曲性的方法，已知提高銅箔的(200)面的晶體取向的取向度的技術(專利文獻1)、增加貫通銅箔的板厚方向的晶粒的比例的技術(專利文獻2)、將銅箔的相當于凹坑（????????????????????????????????????????????????）的深度的表面粗糙度Ry(最大高度)降低至2.0μm以下的技術(專利文獻3)。

通常的FPC制造步驟如下所述。首先將銅箔與樹脂膜接合。接合有通過對涂布在銅箔上的清漆施加熱處理來進行酰亞胺化的方法，將帶有粘接劑的樹脂膜與銅箔重疊進行層壓的方法。通過這些步驟接合的帶有樹脂膜的銅箔稱為CCL(覆銅層壓板)。通過該CCL制造步驟中的熱處理，銅箔重結晶。

但是，使用銅箔制造FPC時，若為了提高與覆蓋膜的密合性而對銅箔表面進行蝕刻，則表面上有可能產生直徑為數10μm左右的凹陷(碟型下陷)，特別是易產生高彎曲銅箔。其原因在于，為了賦予高彎曲性而將銅箔的晶體取向(200)面控制得一致使得重結晶退火后產生立方體組織。換而言之，認為即使進行這種控制，也不會全部的晶體取向都一致，在均一的組織中局部存在晶體取向不同的晶粒。此時，根據蝕刻的晶面的不同蝕刻速度不同，因此該晶粒被蝕刻得與周圍相比局部深，形成凹陷。這種凹陷導致電路的蝕刻性降低，或在外觀檢查中被判定為不良而收率降低。

作為減少這種凹陷的方法，報告了在軋制前或軋制后對銅箔的表面進行機械拋光，提供形成加工變質層的變形后、重結晶的技術(專利文獻4)。根據該技術，由于加工變質層重結晶后在表面上存在很多不均一的晶粒，晶體取向不同的晶粒不單獨存在。

[現有技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]?日本特許第3009383號公報

[專利文獻2]?日本特開2006-117977號公報

[專利文獻3]?日本特開2001-058203號公報

[專利文獻4]?日本特開2009-280855號公報。

發明內容

但是，專利文獻4記載的技術的情況下，由于不均一的晶粒多，銅箔表面的結晶不沿(200)面取向，因此存在彎曲性降低的問題。

另一方面，專利文獻3記載的高光澤的銅箔，晶體取向易一致，此外，碟型下陷的產生也少。但是，高光澤的銅箔的表面易產生劃痕（?）等，操作不容易，所以不優選。

因此，本發明是為了解決上述問題而提出的，其目的在于，通過使銅箔表面適度地形成粗糙的狀態，提供操作性良好、彎曲性優異的同時，表面蝕刻特性良好的軋制銅箔。

本發明人進行了各種研究，結果發現，在最終冷軋的最終道次(パス)之前不使銅箔的表面太粗糙，在最終冷軋的最終道次使銅箔的表面粗糙，由此使最終的銅箔的表面粗糙的同時，凹坑的形態和頻率(表面狀態)不易產生剪切帶，彎曲性優異，同時碟型下陷減少。而且，不易產生剪切帶的凹坑的形態和頻率(表面狀態)可以通過由共聚焦顯微鏡圖像得到的凹坑面積率來進行宏觀上的評價。

為了達成上述目的，本發明的軋制銅箔，在銅箔表面上沿與軋制方向平行的方向的175μm長度上測定得到的表面粗糙度Ra與上述銅箔的厚度t的比率Ra/t為0.004～0.007，200℃下加熱30分鐘調質為重結晶組織的狀態下，由軋制面的X射線衍射求得的(200)面的強度(I)，相對于由微粉末銅的X射線衍射求得的(200)面的強度(I₀)，為I/I₀≥50，在銅箔表面上沿與軋制方向平行的方向長度為175μm、且在與軋制方向成直角的方向上分別距離50μm以上的3根直線上，相當于凹坑的最大深度的各直線的厚度方向的最大高度與最小高度的差的平均值d與上述銅箔的厚度t的比率d/t為0.1以下，用共聚焦顯微鏡測定時的凹坑的面積率為6%～15%。

將上述200℃×30分鐘熱處理后的銅箔表面電解拋光后，用EBSD觀察時，與[100]取向的角度差為15度以上的晶粒的面積率優選為20%以下。

優選對鑄塊進行熱軋后，重復冷軋和退火，最后進行最終冷軋來制造，在該最終冷軋工序中，最終道次前的階段中，Ra/t為0.002～0.004。

根據本發明，使銅箔表面適度粗糙來提高操作性，得到彎曲性優異的同時表面蝕刻特性良好的軋制銅箔。

附圖說明

[圖1]?為表示銅箔表面的粗糙度與剪切變形帶的關系的圖。