[發明專利]核徑跡多孔表面制備銀黑納米顆粒的方法及裝置

無效

• 申請號: 201110332644.7
• 申請日: 2011-10-28
• 公開（公告）號: CN103088297A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 劉存兄;倪邦發;胡煉
• 申請（專利權）人: 中國原子能科學研究院
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/20;B22F9/04;B82Y40/00;B82Y30/00
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1.一種核徑跡多孔表面制備銀黑納米顆粒的方法，包括如下步驟：

(S1)通過³²S離子輻照20-50μm厚的聚酯或0.5-2mm厚的CR-39樣品，經NaOH溶液蝕刻工藝得到核徑跡聚酯樣品或核徑跡CR-39樣品；

(S2)將步驟(S1)中得到的核徑跡聚酯樣品或核徑跡CR-39樣品，以及用于標定銀黑厚度的探測器片粘附在真空腔內的樣品架上，使真空腔內的壓強達到3×10^-3-4×10^-3Pa；

(S3)向真空腔內充入氬氣，使真空腔內的氬氣壓強為50-100Pa；

(S4)加熱真空腔內的銀絲，使銀溶化蒸發，在核徑跡聚酯樣品或核徑跡CR-39樣品表面鍍上一層金屬銀納米顆粒。

2.如權利要求1所述的核徑跡多孔表面制備銀黑納米顆粒的方法，其特征在于：步驟(S1)中得到核徑跡聚酯樣品或核徑跡CR-39樣品的具體方法如下：

(a)通過³²S離子輻照20-50μm厚的聚酯或0.5-2mm厚的CR-39樣品，輻照密度為10⁸-10⁹個/cm²，輻照時間為30-60分鐘；

(b)將輻照過的樣品置于清潔干燥的環境中1-3個月；

(c)將靜置了1-3個月后的樣品用濃度為6.0-6.5Mol/L的NaOH溶液蝕刻2-8分鐘，蝕刻溫度為55-70℃；

(d)用300-360nm紫外燈照射步驟(c)中蝕刻后的樣品2-6小時；

(e)將步驟(d)中照射后的樣品用濃度為6.0-6.5Mol/L的NaOH溶液蝕刻10-25分鐘，蝕刻溫度為55-70℃；

(f)將蝕刻處理過后的樣品充分晾干。

3.如權利要求2所述的核徑跡多孔表面制備銀黑納米顆粒的方法，其特征在于：所述的聚酯可以為雙向拉伸聚酯薄膜Mylar20、Mylar50，或者Melinex聚酯、Hostaphan聚酯。

4.如權利要求1所述的核徑跡多孔表面制備銀黑納米顆粒的方法，其特征在于：步驟(S2)中用于標定銀黑厚度的探測器片選用厚度為0.5-1mm的鋁片或金片或銅片。

5.如權利要求1-4中任意一項所述的核徑跡多孔表面制備銀黑納米顆粒的方法，其特征在于：步驟(S4)中加熱蒸發的銀絲與核徑跡聚酯樣品或核徑跡CR-39樣品之間的距離為7-10cm。

6.一種核徑跡多孔表面制備銀黑納米顆粒的裝置，包括蒸發鍍膜機(1)，蒸發鍍膜機(1)上設有真空腔(2)，真空腔(2)與氬氣供應系統(3)連接，其特征在于：所述的真空腔(2)內設有樣品架(4)，樣品架(4)上設有核徑跡聚酯樣品或核徑跡CR-39樣品(6)，以及用于標定銀黑厚度的探測器片(5)；在樣品架(4)的下方設有與蒸發鍍膜機(1)的電極(8、9)相連接的鎢舟(10)，鎢舟(10)上放有銀絲(7)。

7.如權利要求6所述的核徑跡多孔表面制備銀黑納米顆粒的裝置，其特征在于：所述的核徑跡聚酯樣品或核徑跡CR-39樣品(6)與探測器片(5)分別設在以鎢舟(10)的中心線為軸的對稱位置上。

8.如權利要求6所述的核徑跡多孔表面制備銀黑納米顆粒的裝置，其特征在于：在所述的銀絲(7)上方與樣品架(4)之間設有屏蔽罩(11)。

9.如權利要求6或7或8所述的核徑跡多孔表面制備銀黑納米顆粒的裝置，其特征在于：所述的探測器片(5)為直徑20mm的圓形鋁片，其厚度為1mm。