[發明專利]連接孔形成方法

有效

• 申請號: 201110332269.6
• 申請日: 2011-10-27
• 公開（公告）號: CN103094179A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 張海洋;王新鵬
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種連接孔形成方法，包括：

提供半導體襯底，所述襯底具有預先形成的半導體器件；

在所述襯底上形成覆蓋半導體器件的層間介質層，并在所述層間介質層中刻蝕通孔并填充有金屬材料形成第一連接孔；

在所述層間介質層上依次沉積刻蝕停止層、電介質層、金屬硬掩膜層、第一底部抗反射層及第一光刻膠；

圖案化所述第一光刻膠，以所述圖案化的第一光刻膠作為掩膜刻蝕所述金屬硬掩膜層形成圖案化的金屬硬掩膜并定義溝槽位置，去除第一光刻膠及第一底部抗反射層；

在所述圖案化的金屬硬掩膜上沉積第二底部抗反射層和第二光刻膠；

圖案化所述第二光刻膠，并以所述圖案化的第二光刻膠作為掩膜刻蝕形成第二連接孔，去除第二光刻膠及第二底部抗反射層；

其特征在于，所述第二連接孔為矩形。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述圖案化的第二光刻膠具有定義所述第二連接孔形狀和位置的矩形開口。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述矩形開口關鍵尺寸大于所述溝槽的關鍵尺寸。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，通過等離子體刻蝕以所述圖案化的第二光刻膠作為掩膜刻蝕形成第二連接孔。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述等離子體刻蝕的刻蝕氣體為CH₂F₂或C₄F₈。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬硬掩膜的厚度為100至500埃。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述電介質層的介電常數為2.0至3.0。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括通過所述圖案化的金屬硬掩膜刻蝕形成溝槽；去除所述金屬硬掩膜；在所述溝槽和第二連接孔填充金屬材料。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用濕法刻蝕去除所述圖案化的第一和第二光刻膠。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述濕法刻蝕的刻蝕劑為HF、H₂O₂或EKC。