[發(fā)明專(zhuān)利]用于在芯片封裝裝置中填充接觸孔的方法以及芯片封裝裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110331997.5
• 申請(qǐng)日: 2011-09-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102403268A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-04-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: B·阿勒斯;E·富爾古特;J·馬勒;I·尼基廷
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/768
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/768;H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 中國(guó)專(zhuān)利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;盧江

技術(shù)領(lǐng)域

各種實(shí)施例通常涉及用于在芯片封裝裝置(arrangement)中填充接觸孔的方法以及芯片封裝裝置。

背景技術(shù)

在芯片封裝中，芯片通常由芯片封裝來(lái)包封。為了從芯片封裝的外部接觸芯片，通常在芯片封裝中提供接觸孔。通常在接觸孔的化學(xué)活化(activation)之后，接觸孔通常使用電填充工藝(galvanic?filling?process)而被填充有金屬。使用電填充工藝經(jīng)常導(dǎo)致在填充有金屬的接觸孔中的相當(dāng)大的空洞并且對(duì)設(shè)計(jì)強(qiáng)制實(shí)施限制。這可能導(dǎo)致電阻和熱阻的顯著增加。更甚至，芯片封裝裝置的可靠性可能受損。

當(dāng)使用金屬棒來(lái)填充接觸孔時(shí)，金屬棒在接觸孔內(nèi)的接合可能成問(wèn)題，原因在于由此產(chǎn)生的界面可能提供用于分層的許多種晶(seed)。此外，金屬棒將必須幾乎精確地適合接觸孔。

發(fā)明內(nèi)容

在各個(gè)實(shí)施例中，提供了一種用于在芯片封裝裝置中填充接觸孔的方法。所述方法可以包含：在芯片封裝的接觸孔中引入導(dǎo)電離散顆粒，并且形成導(dǎo)電顆粒與芯片正面和/或反面的接觸端子之間的電接觸。

附圖說(shuō)明

在附圖中，貫穿不同的視圖，同樣的附圖標(biāo)記通常指代相同的部件。附圖并非必須依比例繪制，相反重點(diǎn)通常在于圖示各個(gè)實(shí)施例的原理。在以下的說(shuō)明中，參考以下的附圖來(lái)說(shuō)明各個(gè)實(shí)施例，其中：

圖1是圖示根據(jù)一實(shí)施例的用于在芯片封裝裝置中填充接觸孔的方法的流程圖；

圖2是圖示根據(jù)一實(shí)施例的用于在芯片封裝裝置中形成到芯片的接觸的方法的流程圖；

圖3示出根據(jù)一實(shí)施例的單一化之前的在其制造第一階段的多個(gè)芯片封裝裝置；

圖4示出根據(jù)一實(shí)施例的單一化之前的在其制造第二階段的多個(gè)芯片封裝裝置；

圖5示出根據(jù)一實(shí)施例的單一化之前的在其制造第三階段的多個(gè)芯片封裝裝置；

圖6示出根據(jù)另一實(shí)施例的單一化之前的在其制造第二階段的多個(gè)芯片封裝裝置；以及

圖7示出根據(jù)再一實(shí)施例的單一化之前的在其制造第二階段的多個(gè)芯片封裝裝置。

具體實(shí)施方式

以下的詳細(xì)說(shuō)明參考附圖，其通過(guò)圖示方式示出其中可以實(shí)施本發(fā)明的具體細(xì)節(jié)和實(shí)施例。

在此使用詞語(yǔ)“示例性”來(lái)意指“用作例子、實(shí)例或圖示”。在此作為“示例性”說(shuō)明的任何實(shí)施例或設(shè)計(jì)都不是必須解釋為相對(duì)其他實(shí)施例或設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)是優(yōu)選的或有利的。

在權(quán)利要求書(shū)中和在以下的說(shuō)明書(shū)中，用于填充接觸孔和用于形成接觸的方法的不同實(shí)施例例如以流程圖被描述為工藝或測(cè)量的特定順序。要注意的是，實(shí)施例不應(yīng)當(dāng)限于描述的特定順序。特定一些或全部的不同工藝或測(cè)量也可以同時(shí)地或以任何其它有用的和合適的順序進(jìn)行。

在各個(gè)實(shí)施例中，利用導(dǎo)電離散顆粒(例如微顆粒)以在芯片或多個(gè)芯片的后段制程(back-end-of-line)處理中填充芯片封裝中的接觸孔。導(dǎo)電離散顆粒用于例如經(jīng)由芯片接觸端子而產(chǎn)生與芯片的(直接或間接)電接觸。所述方法可以包含多個(gè)工藝階段，例如對(duì)預(yù)先填充有顆粒的(一個(gè)或多個(gè))接觸孔的額外電填充、或者對(duì)填充到(一個(gè)或多個(gè))接觸孔中的顆粒的部分熔化或燒結(jié)或固化。在各個(gè)實(shí)施例中，相同或不同的顆粒(由相同材料制成或由不同材料制成)可以用來(lái)減少芯片封裝接觸孔中的空洞。

各個(gè)實(shí)施例可以使用各種類(lèi)型的芯片，例如半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體襯底，其中有邏輯集成電路、模擬集成電路、混合信號(hào)集成電路、傳感器電路、MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))、功率集成電路、具有集成無(wú)源器件的芯片、分立無(wú)源器件等等。通常，如本申請(qǐng)中所使用的術(shù)語(yǔ)“半導(dǎo)體芯片”可以有不同的含義，其中一種含義是包含電路的半導(dǎo)體襯底或半導(dǎo)體管芯。

在各個(gè)實(shí)施例中，芯片可以包含多個(gè)芯片，其可以一起位于一個(gè)單一芯片封裝裝置中并且假如同時(shí)形成多個(gè)封裝裝置則即使在單一化晶片之后也可以封裝在一起。芯片在芯片封裝裝置中可以定位為彼此相鄰和/或可以一個(gè)層疊在另一個(gè)上以形成多芯片封裝(在這種情況下根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的電接觸可以被提供在多芯片封裝的兩個(gè)相應(yīng)芯片之間并且被提供用于兩個(gè)相應(yīng)芯片之間的電連接；因而，說(shuō)明性地，根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的電接觸可以提供在多芯片封裝中的芯片到芯片互連中)。此外，在各個(gè)實(shí)施例中，該芯片或這些芯片可以由芯片載體諸如例如引線(xiàn)框架來(lái)承載。