[發(fā)明專利]用于在芯片封裝裝置中填充接觸孔的方法以及芯片封裝裝置

無效

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• 申請日: 2011-09-09
• 公開（公告）號: CN102403268A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: B·阿勒斯;E·富爾古特;J·馬勒;I·尼基廷
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;盧江

1.一種用于填充芯片封裝裝置中的接觸孔的方法，所述方法包括：

向芯片封裝的接觸孔中引入導(dǎo)電離散顆粒；以及

在所述導(dǎo)電顆粒和所述芯片的正面和反面中的至少一個的接觸端子之間形成電接觸。

2.權(quán)利要求1的方法，

其中所述導(dǎo)電離散顆粒被涂布有導(dǎo)電材料。

3.權(quán)利要求1的方法，

其中所述導(dǎo)電離散顆粒被涂布有金屬和本征導(dǎo)電聚合物材料中的至少一個。

4.權(quán)利要求1的方法，

其中所述導(dǎo)電離散顆粒是金屬顆粒。

5.權(quán)利要求1的方法，

其中所述導(dǎo)電離散顆粒的直徑在從約1nm到約50μm的范圍內(nèi)。

6.權(quán)利要求1的方法，還包括：

在所述芯片封裝的上表面上形成金屬化層，使得所述金屬化層與所述接觸孔中的所述導(dǎo)電離散顆粒電接觸，由此在所述金屬化層和所述芯片的正面和反面中的至少一個的接觸端子之間經(jīng)由所述導(dǎo)電離散顆粒形成電接觸。

7.權(quán)利要求1的方法，還包括：

以使得充分地完全填充所述接觸孔的方式部分地熔化或燒結(jié)或固化所述導(dǎo)電顆粒。

8.權(quán)利要求1的方法，還包括：

在向所述芯片封裝的所述接觸孔中引入所述導(dǎo)電離散顆粒之后，電填充所述接觸孔。

9.權(quán)利要求1的方法，

其中所述接觸孔的直徑/半徑在從約1μm到約500μm的范圍內(nèi)。

10.權(quán)利要求1的方法，

其中所述接觸孔包括多個接觸孔。

11.權(quán)利要求10的方法，

其中所述多個接觸孔中的至少某些接觸孔具有不同的深度。

12.權(quán)利要求1的方法，還包括：

形成芯片載體；

在引線框架上形成芯片封裝；

在所述芯片封裝中形成接觸孔，使得所述接觸孔暴露所述芯片載體的至少一部分。

13.一種形成到芯片封裝裝置中的芯片的接觸的方法，所述方法包括：

形成芯片封裝以至少部分地設(shè)置在芯片上，所述芯片包括接觸端子；

在所述芯片封裝中形成接觸孔；

向所述接觸孔中引入導(dǎo)電離散顆粒；以及

在所述導(dǎo)電顆粒和所述芯片的正面和反面中的至少一個的接觸端子之間形成電接觸。

14.權(quán)利要求13的方法，還包括：

以使得充分地完全填充所述接觸孔的方式部分地熔化或燒結(jié)或固化所述導(dǎo)電顆粒。

15.權(quán)利要求13的方法，還包括：

在向所述芯片封裝的所述接觸孔中引入所述導(dǎo)電離散顆粒之后，電填充所述接觸孔。

16.權(quán)利要求15的方法，還包括：

在電填充所述接觸孔之前，化學(xué)活化所述接觸孔中的所述導(dǎo)電離散顆粒。

17.權(quán)利要求13的方法，

其中所述接觸孔的直徑/半徑在從約1μm到約500μm的范圍內(nèi)。

18.權(quán)利要求13的方法，還包括：

在所述導(dǎo)電顆粒和所述芯片封裝中提供的另一芯片的接觸端子之間形成電接觸。

19.一種芯片封裝裝置，包括：

包括接觸端子的芯片；

至少部分地設(shè)置在所述芯片上的芯片封裝，所述芯片封裝包括接觸孔；

在所述接觸孔中的導(dǎo)電離散顆粒；以及

其中所述導(dǎo)電離散顆粒形成在所述接觸孔中，使得提供在所述導(dǎo)電顆粒和所述芯片的正面和反面中的至少一個的接觸端子之間的電接觸。

20.權(quán)利要求19所述的芯片封裝裝置，

其中所述導(dǎo)電離散顆粒被涂布有導(dǎo)電材料。

21.權(quán)利要求19所述的芯片封裝裝置，

其中所述導(dǎo)電離散顆粒被涂布有金屬和本征導(dǎo)電聚合物材料中的至少一個。