[發明專利]制作圖案化氧化物導電層的方法及蝕刻機臺有效
| 申請號: | 201110330194.8 | 申請日: | 2011-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN102509695A | 公開(公告)日: | 2012-06-20 |
| 發明(設計)人: | 劉光澤;陳慶育;游江津;邱奕昇 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;祁建國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制作 圖案 氧化物 導電 方法 蝕刻 機臺 | ||
技術領域
本發明關于一種制作氧化物導電層的方法,特別是一種制作圖案化氧化物導電層的方法與可實施該方法的蝕刻機臺。
背景技術
氧化物導電層因具有透明且可導電的特性,進而被廣泛地用在制作顯示器的像素電極。在公知工藝中,氧化物導電層經由濺鍍的方式形成在基板表面,在經過上光阻、曝光、顯影、蝕刻和去光阻等一連串的工序而達到形成圖案化氧化物導電層的目的。然而,在這樣的制作過程中,蝕刻步驟完畢與去圖案化光阻層步驟完畢后皆須經過一道水洗步驟,也就是每一片基板至少須經由兩次洗凈過程,無疑地,制作的過程中會消耗大量的水。即使將這些水經由循環再利用而企圖減少消耗量,然而為確保水的純凈度,卻會增加循環過程中濾心的消耗,因而增加制造成本并依舊無法達到環保與節能的要求。
發明內容
本發明目的之一在于提供一種制作圖案化氧化物導電層的方法與可實施該方法的蝕刻機臺,在不犧牲產品良品率的前提下,藉由省去蝕刻步驟和去光阻步驟之間的水洗步驟而達到省水與節能的目的。
為達上述目的,本發明提供一種制作圖案化氧化物導電層的方法,包含下列步驟。提供基板并于基板上形成氧化物導電層。接下來于氧化物導電層上形成圖案化光阻層,其中圖案化光阻層暴露出部分氧化物導電層。之后再利用蝕刻液蝕刻圖案化光阻層暴露出的氧化物導電層,以形成圖案化氧化物導電層,以及于蝕刻氧化物導電層之后,利用化學藥劑除去圖案化氧化物導電層上的圖案化光阻層,其中蝕刻氧化物導電層的步驟與利用化學藥劑除去圖案化氧化物導電層上的圖案化光阻層的步驟之間不包括對基板及圖案化光阻層進行水洗步驟。
為達上述目的,本發明提供一種蝕刻機臺。蝕刻機臺包含蝕刻單元與去光阻單元。蝕刻單元用以蝕刻基板上的圖案化光阻層暴露出的氧化物導電層;去光阻單元用以除去氧化物導電層上的圖案化光阻層,其中蝕刻單元與去光阻單元之間不包括水洗單元。
本發明的有益功效在于:由于本發明使用的蝕刻液的主要成分為水,因此蝕刻步驟與去光阻步驟間無須水洗步驟,不僅可達到與原本需水洗步驟的產品相同的效果,還可節省水的消耗,達到環保節能的目的。
以下結合附圖和具體實施例對本發明進行詳細描述,但不作為對本發明的限定。
附圖說明
圖1為本發明實施例的蝕刻機臺示意圖;
圖2A、圖2B、圖2C、圖3至圖6繪示本發明實施例制作圖案化氧化物導電層的方法;
圖7為本發明另一個實施例的蝕刻機臺示意圖。
其中,附圖標記
1基板????????????????2基板傳輸單元
3氧化物導電層????????4噴灑裝置
5圖案化光阻層????????6回收槽
8儲存槽??????????????10濾心
12管路???????????????14風刀
22蝕刻單元???????????32干燥單元
42去光阻單元?????????3A圖案化氧化物導電層
α夾角???????????????50蝕刻機臺
60蝕刻機臺
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施例對本發明技術方案進行詳細的描述,以更進一步了解本發明的目的、方案及功效,但并非作為本發明所附權利要求保護范圍的限制。
請參考圖1,其繪示本發明實施例的蝕刻機臺。如圖1所示,蝕刻機臺50包括蝕刻單元22、干燥單元32以及去光阻單元42。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





