[發明專利]制作圖案化氧化物導電層的方法及蝕刻機臺有效
| 申請號: | 201110330194.8 | 申請日: | 2011-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN102509695A | 公開(公告)日: | 2012-06-20 |
| 發明(設計)人: | 劉光澤;陳慶育;游江津;邱奕昇 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;祁建國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制作 圖案 氧化物 導電 方法 蝕刻 機臺 | ||
1.一種制作圖案化氧化物導電層的方法,其特征在于,包含:
提供一基板;
于該基板上形成一氧化物導電層;
于該氧化物導電層上形成一圖案化光阻層,其中該圖案化光阻層暴露出部分該氧化物導電層;
利用一蝕刻液蝕刻該圖案化光阻層暴露出的該氧化物導電層,以形成一圖案化氧化物導電層;以及
于蝕刻該氧化物導電層之后,利用一化學藥劑除去該圖案化氧化物導電層上的該圖案化光阻層,其中蝕刻該氧化物導電層的步驟與利用該化學藥劑除去該圖案化氧化物導電層上的該圖案化光阻層的步驟之間不包括對該基板及該氧化物導電層進行一水洗步驟。
2.如權利要求1所述的制作圖案化氧化物導電層的方法,其特征在于,另包括于蝕刻該氧化物導電層的步驟與利用該化學藥劑除去該氧化物導電層上的該圖案化光阻層的步驟之間進行一干燥步驟。
3.如權利要求2所述的制作圖案化氧化物導電層的方法,其特征在于,該干燥步驟包括利用一風刀吹干殘留于該基板上的該蝕刻液。
4.如權利要求2所述的制作圖案化氧化物導電層的方法,其特征在于,于進行該干燥步驟時,該基板與一水平面具有一夾角。
5.如權利要求4所述的制作圖案化氧化物導電層的方法,其特征在于,該夾角介于為5度至75度之間。
6.如權利要求1所述的制作圖案化氧化物導電層的方法,其特征在于,該蝕刻液包括一酸性溶液。
7.如權利要求6所述的制作圖案化氧化物導電層的方法,其特征在于,該酸性溶液包含有草酸與水。
8.如權利要求6所述的制作圖案化氧化物導電層的方法,其特征在于,于該酸性溶液中,水的重量百分比大于90%。
9.如權利要求8所述的制作圖案化氧化物導電層的方法,其特征在于,于該酸性溶液中,水的重量百分比為97%。
10.如權利要求1所述的制作圖案化氧化物導電層的方法,其特征在于,該氧化物導電層包括銦錫氧化物或銦鋅氧化物。
11.一種蝕刻機臺,其特征在于,包含:
一蝕刻單元,用以蝕刻一基板上的一圖案化光阻層暴露出的一氧化物導電層;以及
一去光阻單元,用以除去該氧化物導電層上的該圖案化光阻層;
其中該蝕刻單元與該去光阻單元之間不包括水洗單元。
12.如權利要求11所述的蝕刻機臺,其特征在于,該蝕刻單元與該去光阻單元相鄰設置。
13.如權利要求11所述的蝕刻機臺,其特征在于,另包括一干燥單元位于該蝕刻單元與該去光阻單元之間,用以干燥殘留于該基板上的蝕刻液。
14.如權利要求13所述的蝕刻機臺,其特征在于,另包括一基板輸送單元,用以傳輸該基板,其中該干燥單元包括一組風刀,設置于該基板輸送單元的上下兩側。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





