[發(fā)明專利]導(dǎo)線的修補方法以及顯示面板的修補方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110330076.7 | 申請日: | 2011-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN102368478A | 公開(公告)日: | 2012-03-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳志宏;黃柏輔;張俊德 | 申請(專利權(quán))人: | 友達(dá)光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;鮑俊萍 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 導(dǎo)線 修補 方法 以及 顯示 面板 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種修補方法以及顯示面板的修補方法。
背景技術(shù)
平面顯示器技術(shù)已趨成熟,但顯示面板的組成元件,如主動元件陣列基板,在制造過程之中難免會產(chǎn)生一些瑕疵(defect)。例如,主動元件陣列基板上的掃描線與數(shù)據(jù)線因其長度很長,故容易發(fā)生斷線的情形。當(dāng)掃描線與數(shù)據(jù)線發(fā)生斷線時,會導(dǎo)致一部分的像素?zé)o法動作(線缺陷),故必須設(shè)法修補斷線。此外,若僅依賴改善工藝技術(shù)來實現(xiàn)零瑕疵率是非常困難的,因此,顯示面板的瑕疵修補技術(shù)就變得相當(dāng)重要。在現(xiàn)有技術(shù)中,顯示面板的瑕疵修補通常采用激光熔接(laser?welding)搭配激光切割(laser?cutting)等方式來進(jìn)行。
一般來說,上述采用激光熔接以及激光切割技術(shù)來進(jìn)行斷線的修補的方式,是先在顯示面板上預(yù)先形成修補線。當(dāng)顯示面板制造完成之后,利用檢測工具檢測顯示面板上是否具有斷線缺陷。倘若發(fā)現(xiàn)特定信號現(xiàn)有斷線缺陷時,便利用位于具有缺陷的信號線附近的修補線來進(jìn)行修補,也就是通過激光熔接方式使修補線與具有缺陷的信號線熔接在一起,再利用激光切割方式切割不需使用到的修補線。
然而,上述修補方法因必須先在顯示面板上形成修補線,且當(dāng)需要進(jìn)行修補時需采用激光熔接以及激光切割技術(shù)。因此,傳統(tǒng)對于顯示面板的斷線的修補方法較為繁瑣,且修補線位置的設(shè)置也會受到許多限制。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種導(dǎo)線的修補方法以及顯示面板的修補方法,其可以不需預(yù)先于顯示面板中形成修補線,且不需采用傳統(tǒng)激光熔接以及激光切割程序,即可以達(dá)到修補導(dǎo)線的目的。
本發(fā)明提出一種導(dǎo)線的修補方法,其包括提供導(dǎo)線,其中導(dǎo)線具有斷線缺陷。在斷線缺陷處涂布納米金屬溶液,其中,納米金屬溶液包括有機(jī)溶劑以及均勻分散于有機(jī)溶劑中的金屬納米粒子。利用激光照射程序照射斷線缺陷處,以使納米金屬溶液硬化以形成修補部。
其中,該納米金屬溶液的該納米金屬顆粒包括納米金顆粒或是納米銀顆粒。
其中,該納米金屬溶液的該納米金屬顆粒的顆粒尺寸為2~3納米。
其中,該納米金屬溶液的該有機(jī)溶劑包括己烷、苯或是甲苯。
其中,該激光照射程序的溫度介于攝氏350至400度。
本發(fā)明提出一種顯示面板的修補方法,其包括提供顯示面板,所述顯示面板包括多條信號線,其中所述信號線中的至少一條信號線具有斷線缺陷。在斷線缺陷處涂布納米金屬溶液,其中納米金屬溶液包括有機(jī)溶劑以及均勻分散于有機(jī)溶劑中的金屬納米粒子。利用激光照射程序照射斷線缺陷處,以使納米金屬溶液硬化以形成修補部。
其中,該納米金屬溶液的該納米金屬顆粒包括納米金顆粒或是納米銀顆粒。
其中,該納米金屬溶液的該納米金屬顆粒的顆粒尺寸為2~3納米。
其中,該納米金屬溶液的該有機(jī)溶劑包括己烷、苯或是甲苯。
其中,該激光照射程序的溫度介于攝氏350至400度。
基于上述,本發(fā)明在導(dǎo)線的斷線缺陷處涂布納米金屬顆粒,并且利用激光照射程序以使得納米金屬溶液硬化以形成修補部,即可使得導(dǎo)線的斷線缺陷獲得修補。由于本發(fā)明不需事先在顯示面板上設(shè)置修補線路,因而本發(fā)明的修補方法相較于傳統(tǒng)方法較為簡單且便利。
以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述,但不作為對本發(fā)明的限定。
附圖說明
圖1A至圖1C是根據(jù)本發(fā)明一實施例的導(dǎo)線的修補方法的流程示意圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明一實施例的顯示面板的示意圖。
圖3A至圖3C是根據(jù)本發(fā)明一實施例的顯示面板的修補方法的流程示意圖。
其中,附圖標(biāo)記:
L:導(dǎo)線
D:斷線缺陷
LR:激光
S:納米金屬溶液
O:有機(jī)溶劑
N:納米金屬顆粒
R:修補部
100:顯示面板
A:顯示區(qū)
B:非顯示區(qū)
SL1~SLn:掃描線
DL1~DLn:數(shù)據(jù)線
P:像素結(jié)構(gòu)
PE:像素電極
T:主動元件
L1-1~L1-n、L2-1~L2-n:引線
具體實施方式
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- 同類專利
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
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- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
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- X射線探測方法以及裝置以及系統(tǒng)
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