[發(fā)明專利]導(dǎo)線的修補(bǔ)方法以及顯示面板的修補(bǔ)方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110330076.7 | 申請日: | 2011-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN102368478A | 公開(公告)日: | 2012-03-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳志宏;黃柏輔;張俊德 | 申請(專利權(quán))人: | 友達(dá)光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;鮑俊萍 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 導(dǎo)線 修補(bǔ) 方法 以及 顯示 面板 | ||
1.一種導(dǎo)線的修補(bǔ)方法,其特征在于,包括:
提供一導(dǎo)線,其中該導(dǎo)線具有一斷線缺陷;
在該斷線缺陷處涂布一納米金屬溶液,其中該納米金屬溶液包括一有機(jī)溶劑以及均勻分散于該有機(jī)溶劑中的金屬納米粒子;以及
利用一激光照射程序照射該斷線缺陷處,以使該納米金屬溶液硬化以形成一修補(bǔ)部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線的修補(bǔ)方法,其特征在于,該納米金屬溶液的該納米金屬顆粒包括納米金顆粒或是納米銀顆粒。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線的修補(bǔ)方法,其特征在于,該納米金屬溶液的該納米金屬顆粒的顆粒尺寸為2~3納米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線的修補(bǔ)方法,其特征在于,該納米金屬溶液的該有機(jī)溶劑包括己烷、苯或是甲苯。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線的修補(bǔ)方法,其特征在于,該激光照射程序的溫度介于攝氏350至400度。
6.一種顯示面板的修補(bǔ)方法,其特征在于,包括:
提供一顯示面板,該顯示面板包括多條信號線,其中該些信號線中的至少一條信號線具有一斷線缺陷;
在該斷線缺陷處涂布一納米金屬溶液,其中該納米金屬溶液包括一有機(jī)溶劑以及均勻分散于該有機(jī)溶劑中的金屬納米粒子;以及
利用一激光照射程序照射該斷線缺陷處,以使該納米金屬溶液硬化以形成一修補(bǔ)部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板的修補(bǔ)方法,其特征在于,該納米金屬溶液的該納米金屬顆粒包括納米金顆粒或是納米銀顆粒。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板的修補(bǔ)方法,其特征在于,該納米金屬溶液的該納米金屬顆粒的顆粒尺寸為2~3納米。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板的修補(bǔ)方法,其特征在于,該納米金屬溶液的該有機(jī)溶劑包括己烷、苯或是甲苯。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板的修補(bǔ)方法,其特征在于,該激光照射程序的溫度介于攝氏350至400度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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