[發明專利]堆疊并可調諧的電源熔絲

有效

• 申請號: 201110329752.9
• 申請日: 2011-10-26
• 公開（公告）號: CN102543951A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 鄭志昌;柳瑞興;蘇如意;楊富智;蔡俊琳
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L27/02;H01L21/82;H01H85/046
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;高雪琴

1.一種半導體器件，包括：

晶體管，所述晶體管包括基板、源極、漏極、和柵極；以及

堆疊在所述晶體管上的熔絲，所述熔絲包括：

與所述晶體管的所述漏極連接的陽極觸點；

陰極觸點；以及

電阻器，所述電阻器通過第一肖特基二極管和第二肖特基二極管分別與所述陰極觸點和所述陽極觸點連接。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述熔絲的所述陽極觸點、所述陰極觸點、和所述電阻器設置在所述晶體管的所述柵極和所述漏極的上方和之間。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述晶體管包括設置在所述柵極和所述漏極之間的隔離結構，所述隔離結構和所述漏極在所述基板中的n-阱中，而且所述基板被p-型摻雜劑摻雜。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述電阻器包括多個線圈。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一肖特基二極管嵌入在所述電阻器和所述陰極觸點之間，而且所述第二肖特基二極管嵌入在所述電阻器和所述陽極觸點之間。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述熔絲設定成在約5V至約700V之間的電壓下熔斷。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括在所述晶體管的所述柵極和所述熔絲的所述電阻器之間的介電層。

8.一種半導體器件，包括：

多個晶體管，每個晶體管包括基板、源極、漏極、和柵極；以及

多個熔絲，每個熔絲堆疊在所述多個晶體管中相應的晶體管上，每個熔絲包括：

與所述相應的晶體管的所述漏極連接的陽極金屬觸點；

陰極金屬觸點；以及

電阻器，所述電阻器通過第一肖特基二極管和第二肖特基二極管分別與所述陰極金屬觸點和所述陽極金屬觸點連接，

其中所述多個熔絲的所述電阻器互相之間具有不同的長度。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中每個熔絲的所述陽極金屬觸點、所述陰極金屬觸點、和所述電阻器設置在每個相應的晶體管的所述柵極和所述漏極上方和之間。

10.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

提供晶體管，所述晶體管包括基板、源極、漏極、和柵極；和在所述晶體管上方堆疊熔絲，所述熔絲包括：

與所述晶體管的所述漏極連接的陽極金屬觸點；

陰極金屬觸點；以及

電阻器，所述電阻器通過第一肖特基二極管和第二肖特基二極管分別與所述陰極金屬觸點和所述陽極金屬觸點連接。