[發明專利]保護芯片級封裝的T型接觸免受潮

有效

• 申請號: 201110329737.4
• 申請日: 2011-10-26
• 公開（公告）號: CN102569194A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 朱惠珍;郭彥良
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/56;H01L27/146;H01L23/00;H01L23/31
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;高雪琴

技術領域

本發明涉及保護芯片級封裝的T型接觸的方法。

背景技術

將芯片級封裝用于形成基本上具有與半導體芯片相同的尺寸的外殼。CSP的應用之一為互補金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器芯片的封裝。在為圖像傳感器芯片的一部分的硅基板的前表面處形成可以由CMOS裝置形成的圖像傳感器。對于硅基板進行背側研磨直到硅基板的厚度薄到足以允許光從背側穿過硅基板以到達圖像傳感器。

在圖像傳感器芯片的封裝中，為了保護圖像傳感器芯片，將玻璃粘結至圖像傳感器芯片的背側，而同時允許光到達圖像傳感器。通過T型接觸來制作圖像傳感器的電連接，其中，將在硅基板的上方并且電連接至圖像傳感器的鋁焊盤連接至金屬線，其中，在各個封裝結構的側壁上形成該金屬線。

在切割開包括圖像傳感器芯片的晶圓以前，進行圖像傳感器芯片的封裝。在形成球柵陣列(BGA)球以連接至T型接觸以后，切割開生成的封裝結構以分離圖形傳感器芯片。然而，由于封裝需要切割開鋁焊盤，所以鋁焊盤的邊緣暴露在開放空間中，并且經受水分侵襲。這可能導致各個鋁焊盤剝落。另外，由于在圖像傳感器芯片中的硅基板可以以例如2μm的非常小的厚度接地，所以通過鋁腐蝕所導致的鋁焊盤的膨脹還會導致硅基板的破裂，并且因此，導致破裂的封裝結構故障。

發明內容

針對現有技術的缺陷，本發明提供了一種方法，包括：進行在封裝結構上的第一芯片切割，所述封裝結構包括裝置晶圓以及粘附至所述裝置晶圓的載具晶圓，其中，所述第一芯片切割形成在所述封裝結構中的第一溝槽，并且其中，所述第一接觸焊盤和所述第二接觸焊盤的側邊緣暴露于所述第一溝槽下，所述裝置晶圓包括第一芯片以及第二芯片，其中所述第一芯片包括第一接觸焊盤；所述第二芯片包括第二接觸焊盤；形成第一金屬引線和第二金屬引線，所述第一金屬引線和所述第二金屬引線延伸入所述第一溝槽中并且分別與所述第一接觸焊盤和所述第二接觸焊盤的側邊緣接觸，其中，通過連接金屬部件相互連接所述第一金屬引線和所述第二金屬引線；進行預切割，切割所述連接金屬部件以分離所述第一金屬引線和所述第二引線，其中，在所述預切割以后，所述連接金屬部件的剩余部分包括邊緣；形成在所述第一金屬引線和所述第二金屬引線上方的第一電介質涂層；以及進行第二芯片切割以將所述封裝結構切割開，其中，將所述第一芯片和所述第二芯片分別分入第一部分和第二部分，并且其中，在所述第一部分和所述第二部分中，通過所述第一電介質涂層的剩余部來覆蓋所述連接金屬部件的所述剩余部分的所述邊緣。

根據本發明所述的方法，其中，所述封裝結構進一步包括：透明晶圓；以及壩體，將所述透明晶圓連接至所述裝置晶圓，其中，所述第一溝槽延伸入所述壩體中。

根據本發明所述的方法，其中，在所述預切割中，切割所述透明晶圓的頂部，并且沒有切割所述透明晶圓的下部。

根據本發明所述的方法，進一步包括在形成所述第一金屬引線和所述第二金屬引線的所述步驟以前：進行蝕刻以在所述載具晶圓和所述裝置晶圓中形成第二溝槽，其中，所述第一接觸焊盤和所述第二接觸焊盤的頂面暴露于所述第二溝槽；以及形成延伸入所述第二溝槽中的第二電介質涂層，其中，在所述第一芯片切割中去除所述第二電介質涂層的一部分，并且其中，所述第一金屬引線和所述第二金屬引線形成在所述第二電介質涂層的上方，并且與所述第二電介質涂層接觸。

根據本發明所述的方法，其中，所述第二電介質涂層包括焊料掩模。

根據本發明所述的方法，其中，所述預切割形成的溝槽的寬度小于所述第二芯片切割的寬度。

根據本發明所述的方法，其中，所述第一電介質涂層包括焊料掩模。