[發明專利]保護芯片級封裝的T型接觸免受潮

有效

• 申請號: 201110329737.4
• 申請日: 2011-10-26
• 公開（公告）號: CN102569194A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 朱惠珍;郭彥良
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/56;H01L27/146;H01L23/00;H01L23/31
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;高雪琴

1.一種方法，包括：

進行在封裝結構上的第一芯片切割，所述封裝結構包括：

器件晶圓，包括：

第一芯片，其中，所述第一芯片包括第一接觸焊盤；以及

第二芯片，包括第二接觸焊盤；以及

附接至所述裝置晶圓的載具晶圓，其中，所述第一芯片切割形成在所述封裝結構中的第一溝槽，并且其中，所述第一接觸焊盤和所述第二接觸焊盤的側邊緣暴露于所述第一溝槽下；

形成第一金屬引線和第二金屬引線，所述第一金屬引線和所述第二金屬引線延伸入所述第一溝槽中并且分別與所述第一接觸墊焊盤和所述第二接觸墊焊盤的側邊緣接觸，其中，通過連接金屬部件相互連接所述第一金屬引線和所述第二金屬引線；

進行預切割，切割所述連接金屬部件以分離所述第一金屬引線和所述第二引線，其中，在所述預切割以后，所述連接金屬部件的剩余部分包括邊緣；

形成在所述第一金屬引線和所述第二金屬引線上方的第一電介質涂層；以及

進行第二芯片切割以將所述封裝結構切割開，其中，將所述第一芯片和所述第二芯片分別分成第一部分和第二部分，并且其中，在所述第一部分和所述第二部分中，通過所述第一電介質涂層的剩余部來覆蓋所述連接金屬部件的所述剩余部分的所述邊緣。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述封裝結構進一步包括：

透明晶圓；以及

壩體，將所述透明晶圓連接至所述裝置晶圓，其中，所述第一溝槽延伸入所述壩體中。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，在所述預切割中，切割所述透明晶圓的頂部，并不切割所述透明晶圓的下部。

4.根據權利要求1所述的方法，進一步包括在形成所述第一金屬引線和所述第二金屬引線的所述步驟之前：

進行蝕刻以在所述載具晶圓和所述裝置晶圓中形成第二溝槽，其中，所述第一接觸焊盤和所述第二接觸焊盤的頂面暴露于所述第二溝槽；以及

形成延伸入所述第二溝槽中的第二電介質涂層，其中，在所述第一芯片切割中去除所述第二電介質涂層的一部分，并且其中，所述第一金屬引線和所述第二金屬引線形成在所述第二電介質涂層的上方，并且與所述第二電介質涂層接觸。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述第二電介質涂層包括焊料掩模。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述預切割形成的溝槽的寬度小于所述第二芯片切割的寬度。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一介質涂層包括焊料掩模。

8.一種方法，包括：

提供封裝結構，所述封裝結構包括：

裝置晶圓，包括多個裝置芯片、和在所述裝置晶圓之間的劃片槽；

載具晶圓，在所述裝置晶圓的頂部側面的上方，并且接合至所述裝置晶圓的所述頂部側面；

玻璃晶圓，在所述裝置晶圓的下方；以及

壩體，將所述裝置晶圓的底部側面接合至所述玻璃晶圓，其中，

所述壩體與劃片槽重疊，但是與所述多個裝置芯片的中心區域不重疊；

形成在所述載具晶圓和所述裝置晶圓中的第一溝槽直到露出在所述裝置晶圓中的接觸焊盤；

形成第一電介質涂層以延伸入所述第一溝槽中；

進行第一芯片切割以切割所述第一電介質涂層和所述裝置晶圓的所述劃片槽，其中，在所述第一芯片切割以后露出所述接觸焊盤的側邊緣；

形成在所述第一介質涂層的剩余部上方的金屬引線并且將所述金屬引線與所述接觸焊盤的所述側邊緣接觸；

進行預切割以切割金屬引線的連接部分，其中，所述每個連接部分與兩條所述金屬引線相互連接；

形成第二電介質涂層以覆蓋所述金屬引線；以及

進行第二晶圓切割以將所述封裝結構分成獨立部分，其中，在所述獨立件中的所述金屬引線的剩余部份沒有暴露。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，形成所述金屬引線的所述步驟包括：

覆蓋形成金屬層；以及

進行所述金屬層的圖案化以形成所述金屬引線。

10.一種裝置，包括：

裝置芯片：包括集成電路和接觸焊盤；

載具芯片，在所述裝置芯片的頂部側面的上方并且與所述裝置芯片的頂部側面接合；

第一電介質涂層，在所述載具芯片的側壁上；

金屬引線，在所述第一電介質涂層的上方并且與所述第一介質涂層接觸，其中，所述金屬引線與所述接觸焊盤的側邊緣接觸以形成T型接觸，并且其中，所述金屬引線延伸至所述載具芯片和所述裝置芯片的正上方；以及

第二電介質涂層，在所述金屬引線的上方并且與所述金屬引線接觸，其中，覆蓋所述金屬引線的所有邊緣，并且其中，沒有透過所述第二電介質涂層露出所述金屬引線的邊緣。