[發明專利]一種納米二氧化硅的制備方法有效
| 申請號: | 201110329215.4 | 申請日: | 2011-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN102502669A | 公開(公告)日: | 2012-06-20 |
| 發明(設計)人: | 楊三可;解田;李子燕;隋巖峰;劉松林;楊麗萍;馮勝波;曾祥明;駱吉林;李白玉 | 申請(專利權)人: | 甕福(集團)有限責任公司 |
| 主分類號: | C01B33/18 | 分類號: | C01B33/18;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 貴陽中工知識產權代理事務所 52106 | 代理人: | 陳忠俊 |
| 地址: | 550002 貴*** | 國省代碼: | 貴州;52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 納米 二氧化硅 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及無機化工材料制備方法領域,具體來說涉及一種納米二氧化硅的制備方法。?
背景技術
二氧化硅俗稱白炭黑,分子式為SiO2,二氧化硅不溶于水和酸(氫氟酸除外),吸收水分后聚集成細粒。加熱時能溶于氫氧化鈉和氫氟酸,對其它化學藥品穩定。二氧化硅耐高溫、不燃燒、具有很好的電絕緣性。
國內外二氧化硅的生產方法主要分為氣相法和沉淀法。氣相法是以四氯化硅、氧氣(或空氣)和氫氣為原料,在高溫下反應制備。氣相法所得產品的品質好,但制備工藝復雜,價格昂貴,對自動控制的要求高,國際上主要為德國Degussa公司和美國Cabot公司所壟斷,國內沈陽化工股份有限公司、上海氯堿化工股份有限公司、廣州吉必盛科技實業有限公司也有采用氣相法的生產裝置,但技術水平、生產規模和產品性能上與國外還有較大差距。沉淀法采用水玻璃溶液與酸反應,經沉淀、過濾、洗滌、干燥和煅燒而得到二氧化硅。該方法工藝簡單,但由于常規攪拌式反應器內反應物的混合效率低,沉淀反應不能得到均勻、有效的控制,產品存在顆粒粗大、粒徑分布寬、團聚和包裹嚴重等品質問題,不能滿足高端應用的要求,附加值低。
發明內容
本發明的目的在于克服上述沉淀法制備二氧化硅的缺點,提供了操作簡單、成本低廉和能滿足較高質量要求的納米二氧化硅的制備方法。
本發明提供一種納米二氧化硅的制備方法,該方法包括以下步驟:
(1)向質量百分濃度為10%~50%氟硅酸銨溶液中加入0.02g~0.1g十二烷基硫酸鈉作為表面活性劑;
(2)待十二烷基硫酸鈉溶解后,向(1)步驟中溶液通入質量百分濃度10%~28%的氨水溶液,對氟硅酸銨溶液進行氨化反應,氨水的加入量為理論量的110%~150%;
(3)上述(2)步驟的反應溫度控制在常溫,攪拌速度控制在100r/min~400r/min之間,氨水的加入速度控制在24ml/min~192ml/min之間,反應時間控制在60min~130min之間,陳化時間控制在60min~150min之間;
(4)待上述(3)陳化步驟結束后,向(3)步驟中加入0.1g~0.5g質量百分濃度為1‰的聚丙烯溶液作為助濾劑,攪拌2~10min后,進行固液分離;
(5)二氧化硅沉淀經多次洗滌后,于110℃~138℃之間進行干燥處理,并于500℃到800℃之間進行煅燒處理,得到中粒徑38~55nm之間的二氧化硅粉體。
與現有技術相比,本發明用氟硅酸銨和氨水為原料制備納米二氧化硅,氟硅酸銨的氨化過程中,以十二烷基硫酸鈉作為表面活性劑,避免二氧化硅團聚的同時,提高了二氧化硅的表面活性,在氨化過程中,嚴格控制反應條件,在提高二氧化硅收率的同時,制備出性能優異的二氧化硅產品,在二氧化硅固液分離階段,采用聚丙烯酰胺作為助濾劑,提高了二氧化硅的過濾強度,于高溫條件對二氧化硅粉體進行煅燒處理,保證了二氧化硅粉體結晶的完整性。
以下通過具體實施方式,來進一步說明本發明的過程。
具體實施方式
實施例1
取質量百分濃度10%的氟硅酸銨溶液500g,加入0.02g十二烷基硫酸鈉,調節攪拌機轉速為100r/min;待十二烷基硫酸鈉溶解后,向氟硅酸銨溶液中通入10%氨水487g(理論量的110%),氨水的加入速度為24ml/min,控制反應溫度為室溫,反應時間60min,陳化時間60min,加入0.1g質量百分濃度1‰的聚丙烯溶液,攪拌時間2min,對固液分離得到二氧化硅濾餅進行洗滌處理,洗滌至中性,濾餅于110℃下進行干燥處理,于500℃下進行煅燒處理,得到中粒徑為38nm的二氧化硅粉體。
實施例2
取質量百分濃度20%的氟硅酸銨溶液500g,加入0.04g十二烷基硫酸鈉,調節攪拌機轉速為200r/min;待十二烷基硫酸鈉溶解后,向氟硅酸銨溶液中通入14%氨水759.49g(理論量的120%),氨水的加入速度為45ml/min,控制反應溫度為室溫,反應時間80min,陳化時間70min,加入0.2g質量百分濃度1‰的聚丙烯溶液,攪拌時間4min,對固液分離得到二氧化硅濾餅進行洗滌處理,洗滌至中性,濾餅于120℃下進行干燥處理,于600℃下進行煅燒處理,得到中粒徑為43nm的二氧化硅粉體。
實施例3
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