[發明專利]一種納米二氧化硅的制備方法有效
| 申請號: | 201110329215.4 | 申請日: | 2011-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN102502669A | 公開(公告)日: | 2012-06-20 |
| 發明(設計)人: | 楊三可;解田;李子燕;隋巖峰;劉松林;楊麗萍;馮勝波;曾祥明;駱吉林;李白玉 | 申請(專利權)人: | 甕福(集團)有限責任公司 |
| 主分類號: | C01B33/18 | 分類號: | C01B33/18;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 貴陽中工知識產權代理事務所 52106 | 代理人: | 陳忠俊 |
| 地址: | 550002 貴*** | 國省代碼: | 貴州;52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 納米 二氧化硅 制備 方法 | ||
1.?一種納米二氧化硅的制備方法,其特征是該方法包括以下步驟:
(1)向質量百分濃度為10%~50%氟硅酸銨溶液中加入0.02g~0.1g十二烷基硫酸鈉作為表面活性劑;
(2)待十二烷基硫酸鈉溶解后,向(1)步驟中溶液通入質量百分濃度10%~28%的氨水溶液,對氟硅酸銨溶液進行氨化反應,氨水的加入量為理論量的110%~150%;
(3)上述(2)步驟的反應溫度控制在常溫,攪拌速度控制在100r/min~400r/min之間,氨水的加入速度控制在24ml/min~192ml/min之間,反應時間控制在60min~130min之間,陳化時間控制在60min~150min之間;
(4)待上述(3)陳化步驟結束后,向(3)步驟中加入0.1g~0.5g質量百分濃度為1‰的聚丙烯溶液作為助濾劑,攪拌2~10min后,進行固液分離;
(5)二氧化硅沉淀經多次洗滌后,于110℃~138℃之間進行干燥處理,并于500℃到800℃之間進行煅燒處理,得到中粒徑38~55nm之間的二氧化硅粉體。
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