[發明專利]溝槽柵結型場效應晶體管及其制作方法

有效

• 申請號: 201110327035.2
• 申請日: 2011-10-25
• 公開（公告）號: CN102412306A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 李鐵生;奧格涅·米力克;張磊
• 申請（專利權）人: 成都芯源系統有限公司
• 主分類號: H01L29/808
• 分類號: H01L29/808;H01L29/06;H01L21/337
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種溝槽柵結型場效應晶體管(JFET)，包括：

襯底，具有第一摻雜類型；

外延層，位于襯底上方，具有第一摻雜類型；

至少兩個溝槽，位于外延層中；

多晶硅柵極區，位于溝槽底部，具有第二摻雜類型；

層間介電層，位于溝槽中多晶硅柵極區的上方；

源極區，具有第一摻雜類型，位于外延層上方并在相鄰溝槽頂部之間延伸；以及

源極金屬層，位于該源極區的上方。

2.如權利要求1所述的溝槽柵JFET，進一步包括：

阻擋金屬層，位于源極區和源極金屬層之間。

3.如權利要求1所述的溝槽柵JFET，其中每個溝槽上寬下窄。

4.如權利要求1所述的溝槽柵JFET，進一步包括：

至少兩個離子注入區，具有第二摻雜類型，位于外延層中，分別圍繞柵極區。

5.如權利要求1所述的溝槽柵JFET，其中第一摻雜類型為N型，第二摻雜類型為P型。

6.一種溝槽柵JFET的制作方法，包括：

在襯底的上方形成外延層，該襯底和外延層具有第一摻雜類型；

在外延層上方設置掩膜，其中該掩膜留有露出部分外延層的窗口；

通過該掩膜的窗口在外延層內制作溝槽；

去除掩膜；

向溝槽內淀積多晶硅，該多晶硅具有第二摻雜類型；

去除淀積于外延層上表面的多晶硅；

蝕刻溝槽內的多晶硅，使得多晶硅凹陷入溝槽中；

向溝槽內的多晶硅上方淀積層間介電層；

在外延層上表面的上方制作源極區，該源極區具有第一摻雜類型；以及

在該源極區上方制作源極金屬層。

7.如權利要求6所述的制作方法，進一步包括向溝槽的底部注入摻雜以形成離子注入區，該離子注入區具有第二摻雜類型。

8.如權利要求6所述的制作方法，其中淀積用的多晶硅是無摻雜的，在淀積后通過注入摻雜劑形成具有第二摻雜類型的多晶硅。

9.如權利要求6所述的制作方法，其中淀積用的多晶硅為具有第二摻雜類型的多晶硅。

10.如權利要求6所述的制作方法，進一步包括在源極金屬層和源極區之間制作阻擋金屬層。

11.如權利要求6所述的制作方法，其中第一摻雜類型為N型，第二摻雜類型為P型。