[發明專利]有機發光二極管及其制造方法

無效

• 申請號: 201110325422.2
• 申請日: 2011-10-24
• 公開（公告）號: CN102456844A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: 成昌濟;金禾景;申政均;甘潤錫
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 丁香蘭;龐東成

本發明要求2010年10月25日在韓國提交的韓國專利申請第10-2010-0104129號的優先權，在此出于全部目的通過引用將其并入，其等同于在本文中得到完全闡述。

技術領域

本發明涉及一種有機發光二極管，更具體而言，涉及一種有機發光二極管及其制造方法。

背景技術

直到最近，顯示器件還通常使用陰極射線管(CRT)。如今，正做出許多嘗試和研究來開發多種類型的平板顯示器如液晶顯示(LCD)器件、等離子體顯示面板(PDP)、場發射顯示器和有機發光二極管(OLED)等來替代CRT。在這些平板顯示器中，OLED具有許多優點，如電力供給較低、側面較薄、視角較寬、重量較輕、響應時間較快并且可在低溫下制造。

OLED包括陽極、陰極和位于陽極和陰極之間的發光材料層。當對陽極和陰極施加電流，并且將產生自陽極和陰極中的空穴和電子分別注入到發光材料層中時，空穴和電子將復合并由此產生激子。通過利用依據激子從激發態轉變為基態而產生光發射的現象，使圖像得以顯示。

圖1是示出了現有技術中的OLED的示意圖，圖2是現有技術中的OLED的能帶圖。

參見圖1，OLED?10包括基片12、第一電極14、空穴傳輸層(HTL)18、發光材料層(EML)20、電子傳輸層(ETL)22和第二電極26。

作為陽極的第一電極14是用于注入空穴的電極，并由作為透明金屬氧化物材料的氧化銦錫(ITO)形成。作為陰極的第二電極是用于注入電子的電極，并由鎂(Mg)和鋁(Al)的薄膜形成。在頂部發射型的OLED?10中，為了使從發光材料層20發出的光發生反射并輻射透過第二電極26，可以在基片12和第一電極14之間形成由諸如銀(Ag)等金屬制成的反射層28。

在OLED?10中，可以進一步設置位于第一電極14和空穴傳輸層18之間的空穴注入層(HIL)16以及位于電子傳輸層22和第二電極26之間的電子注入層(EIL)24。將空穴注入層16和電子注入層24形成來更有效地分別將空穴和電子注入至空穴傳輸層和電子傳輸層中。電子注入層24由氟化鋰(LiF)制成。

在上述OLED?10中，采用濺射法用鎂(Mg)和鋁(Al)來在電子注入層24上形成第二電極26。這樣可能會造成對電子注入層24和電子傳輸層22的損傷，為了防止這一問題，將額外地形成緩沖層30。緩沖層30由諸如銅(II)酞菁(CuPc)或鋅酞菁(ZnPc)等有機材料形成。

參見圖2，當陽極端子和陰極端子分別連接至第一電極14和第二電極26，并供給電壓時，由第一電極14形成的空穴沿著空穴注入層16和空穴傳輸層18的最高占據分子軌道(HOMO)能級而注入至發光材料層20中，并且由第二電極26形成的電子沿著緩沖層30、電子注入層24和電子傳輸層22的最低空余分子軌道(LUMO)能級而注入至發光二極管中。注入至發光材料層20中的電子和空穴進行復合，由此形成激子，并且由該激子發出對應于空穴和電子之間的能量的光。

在使用濺射法形成第二電極26時，緩沖層30雖然防止了對電子注入層24和電子傳輸層22的損傷，卻起到了能量勢壘的作用。換言之，因為緩沖層30的LUMO能級比第二電極26的逸出功高出很多，因此由第二電極26形成的電子難以運動至緩沖層30的LUMO能級。

因此，為了使來自第二電極26的電子透過緩沖層30、電子注入層24和電子傳輸層22而注入至發光材料層20中，需要較高的驅動電壓。另外，因為電子比空穴更難注入，所以發光材料層20中電子和空穴的復合概率降低，由此使得光發射效率降低。另外，由于驅動電壓較高，因此由有機材料制成的發光材料層20、空穴傳輸層18和電子傳輸層22將受到較大的應力，并由此加快劣化，這將造成OLED?10壽命縮短的問題。

發明內容

因此，本發明涉及一種有機電致發光顯示器件及其制造方法，該器件及其制造方法基本上消除了由現有技術的限制和缺點造成的一種或多種問題。

本發明的一個優點在于提供了一種有機電致發光顯示器件及其制造方法，該器件及其制造方法能夠在較低電壓下運行，改善光發射效率并增加使用壽命。

本發明另外的特征和優點將在隨后的說明書中得以闡明，并且其部分將從說明書中顯而易見，或由本發明的實踐獲悉。本發明的這些和其他優點將通過書面描述和其權利要求以及附圖中特別指出的結構而實現并獲得。